米国政府当局者がサムスン電子とＳＫハイニックスの中国工場に技術上限線を設定すると明らかにし、半導体業界の生産拠点多角化圧力が深刻化する見通しだ。エステベス米商務次官（産業安全保障担当）は２３日にワシントンで開かれた韓国国際交流財団と戦略国際問題研究所（ＣＳＩＳ）主催の韓米経済安保フォーラムで、対中半導体輸出統制１年猶予満了後を尋ねた質問に「技術水準上限線を置く可能性が大きい」と答えた。米商務省は昨年１０月、中国に米国製半導体装備を輸出できないようにする輸出統制措置を発表しながらサムスン電子とＳＫハイニックスに１年間の猶予期間を付与した。これに対し韓国政府と半導体業界では猶予延長を要求する状況だが、今回の発言は米国政府が延長の代わりに技術制限を適用するだろうという意味と解説される。

エステベス次官は「もし企業が特定の層数のＮＡＮＤを生産しているならばわれわれは一定水準で止まらせるだろう。（上限線は）中国がどうするかにかかっていているが、韓国企業と深みのある対話をしている」と明らかにした。メモリー半導体のひとつのＮＡＮＤ型フラッシュは同じ面積に高くセルを積むほど進んだ技術とされる。例えば１０月の輸出統制措置では１２８層以上のＮＡＮＤ型フラッシュを生産できる装備と技術に制限をかけた。

米国政府が猶予措置延長せず技術上限線を適用すればサムスン電子とＳＫハイニックスの中国工場稼動に打撃が予想される。サムスン電子は中国西安で全ＮＡＮＤ型フラッシュの３０～４０％を生産し、ＳＫハイニックスは中国無錫でＤＲＡＭの半分ほどを生産するという。ある半導体業界関係者は「結局中国市場から撤退するかも知れないという話も出ているが、半導体企業が短期間に生産拠点を移すのは難しいこと。中国外の生産拠点多角化の必要性が続けて拡大するだろう」と話した。