サムスン電子が業界最大容量である高性能ＤＲＡＭを新たに発売した。生成型人工知能（ＡＩ）ブームでデータ処理量が急増し、増える高容量メモリー需要に対応するためだ。サムスン電子はこのような高性能製品を通じて半導体市場でアップターン（上昇局面）を先導していく構想だ。

１日、サムスン電子は１２ナノ級３２Ｇｂ（ギガビット）ＤＤＲ５ＤＲＡＭを開発したと明らかにした。３２ＧｂはＤＲＡＭ単一チップ基準としては歴代最大容量となる。

１９８３年６４Ｋｂ（キロビット）ＤＲＡＭを初めて開発したサムスン電子は今年４０年ぶりに容量を５０万倍に増やすことに成功した。サムスン電子は今年５月１２ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）級の１６Ｇｂ　ＤＤＲ５ＤＲＡＭを量産したことに続き、業界最大容量である３２Ｇｂ　ＤＤＲ５ＤＲＡＭ開発に成功してＤＲＡＭ微細工程競争で技術リーダーシップを確保している。

サムスン電子によると、今回の３２Ｇｂ製品は同一パッケージサイズでアーキテクチャー改善を通じて１６ＧｂＤＲＡＭ比２倍の容量を実現した。１２８ＧＢ（ギガバイト）モジュールをＴＳＶ（シリコン貫通電極）工程なく製作することができる。ＴＳＶはチップを最大限に薄くして数百個の微細な穴をあけて上段チップと下段チップの穴を垂直に貫通する電極を連結した先端パッケージング技術だ。ＴＳＶはＨＢＭ（高帯域幅メモリー）生産するための核心工程であることから、限定されたＴＳＶキャパ（生産能力）をＤＲＡＭと分けずにＨＢＭ生産に集中することができるという説明だ。ＨＢＭは今後５年間で年平均３０％台の成長が予想される製品だ。

最近の生成型ＡＩブームに乗ってコンピューティング処理量が幾何級数的に増加している。２０１０年グローバルデータ量が２ＺＢ（ゼタバイト）にすぎなかったが今年には１００ＺＢを越えて２０２５年には１８１ＺＢまで急増するものと展望される。このような変化の中で多くのグローバル企業が競争力のあるデータセンター確保のために投資をしていて、特に生成型ＡＩに必須のハイエンドサーバーはもっと速く大量のデータを処理するためにサーバー当たりＤＲＡＭ搭載量を持続して増やしている。サムスンはこのような需要に足並みを揃える形で新製品を発売した。

今回の新製品は同一１２８ＧＢモジュール基準、１６ＧｂＤＲＡＭを搭載したモジュール比約１０％消費電力を改善することが可能だ。サムスン電子は今回の１２ナノ級３２Ｇｂ　ＤＤＲ５ＤＲＡＭの開発を通じて高容量ＤＲＡＭラインナップを引き続き拡大して次世代ＤＲＡＭ市場をリードしていく戦略だ。

サムスン電子メモリー事業部ＤＲＡＭ開発室長（副社長）のファン・サンジュン氏は「今回の１２ナノ級３２ＧｂＤＲＡＭで今後１ＴＢモジュールまで実現することができるソリューションを確保することになった」とし「サムスン電子は今後も差別化した工程と設計技術力でメモリー技術の限界を克服していくだろう」と語った。