韓国企業が開発した半導体先端技術を中国企業に売り渡した疑いで企業代表らが起訴された。

大邱（テグ）地検反腐敗捜査部は２２日、国内半導体ウェハー製造企業Ａ社の先端技術を中国半導体企業に流出させた装備企業Ｂ社の代表と研究所長ら計４人を産業技術保護法、不正競争防止法違反などの容疑で在宅起訴した。

検察によると、４人は２０１５年８月から２０１６年１月にかけて、半導体ウェハー製造企業Ａ社の技術を中国Ｃ社に渡した疑い。Ａ社は半導体ウェハー製造分野で国内トップ、世界５位の企業で、２０１９基準で年間売上高は１兆５４２９億ウォン（約１４６４億円）。これは世界半導体ウェハー販売の約１７％にのぼる。

Ｂ社がＡ社の半導体ウェハー関連先端技術を得ることになったのは、Ａ社出身の役員を迎え入れたからだ。この役員はＡ社を退社する際、無断で先端技術を持ち出し、Ｂ社は取引企業の中国Ｃ社にこの技術を渡した。この技術は半導体ウェハー製造の核心設備「ホットゾーン」の設計図面と把握された。

ホットゾーン設計図面はＡ社が数年間にわたり高度な技術力と莫大な資金を投入して完成させた先端技術で、半導体ウェハー製造工程の核心技術だ。この技術で中国新生半導体企業Ｃ社は短期間に技術の障壁を乗り越え、莫大な利益を得ることになった。実際、２０１４年６月に設立されたＣ社は犯行直後２０１９年から昨年まで約６１０億ウォン相当の営業利益を出すなど飛躍的に成長したと、検察は説明した。

また、Ｂ社は２０１５年の売上高が９億２０００万ウォンだったが、先端技術をＣ社に譲り渡した後の２０１６年から昨年７月まで６８２２万ドル（約８０９億ウォン）相当の装備を輸出した。

検察関係者は「半導体技術の国外流出は世界半導体製造市場で国内企業の産業競争力を低める重大犯罪」とし「今後も国内基幹産業の国家核心技術、先端技術の国外流出事犯に厳正に対応する」と述べた。