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三星・ハイニックス、メモリーを共同開発

2008.06.26 17:03
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世界メモリー半導体市場を掌握した韓国企業が次世代半導体開発で力を合わせる。

三星(サムスン)電子とハイニックス半導体はSTT-RAMをはじめとする次世代メモリーを共同開発することで合意した。 両社は9月からテラビット(Tb)級半導体の源泉技術を開発するための共同研究開発(R&D)を開始することにした。

三星とハイニックスはそれぞれ世界メモリー半導体1・2位企業。 両社は昨年、世界DRAM市場の49%、NAND型フラッシュ市場の59.3%のシェアを記録している。

しかし日本・東芝や独キマンダなどの追い上げも激しい。 さらに日本のエルピーダメモリと台湾のパワーチップ・セミコンダクターは昨年、合弁法人を設立するなど‘打倒韓国’連合戦線が次第に拡大している。

こうした状況に共同で対応し、2012年ごろと予想される450ミリウエハーへの規格転換で主導権を失わない、という意味だ。

これとともに、統合協会を中心に装備の標準化、中小企業への技術支援、装備・素材の国産化など「包括的技術協力」も推進する。 知識経済部傘下の統合協会は、従来の半導体産業協会(旧産業資源部傘下)に144の半導体設計業者で構成されたIT-SoC協会(旧情報通信部傘下)を合わせたものだ。

初代会長の権五鉉(クォン・オヒョン)三星電子半導体総括社長は開会のあいさつで「メモリー半導体で世界1位だが、比重がはるかに大きいシステム半導体市場のシェアは2.5%にすぎない」と述べ、奮発を誓った。
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