韓国SKハイニックス、128層の4D NAND世界初開発
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2019.06.27 10:19
SKハイニックスが世界で初めて128層の4D NAND型フラッシュメモリー開発に成功し、今年下半期(7-12月)に製品の量産に入る。従来の96層の4D NANDと比較すると生産性が40%向上するという。
SKハイニックスは26日、「128層1テラビット(Tb)TLC(Triple Level Cell)4D NAND型フラッシュメモリー」の開発に成功し、量産を始めると明らかにした。昨年10月に96層4D NAND型フラッシュメモリーを開発してから8カ月ぶりだ。