サムスン電子が米国政府の半導体補助金６４億ドル（約９８６５億円）を受けることになり本格的なビッグテック顧客誘致戦に参入する見通しだ。サムスンは米国投資規模を４５０億ドルに増やし、テキサス州テイラー市に半導体研究開発からファウンドリー（委託生産）とパッケージングに至る総合半導体生産基地を設ける計画だ。

米国政府は１５日、ＣＨＩＰＳ法に基づきサムスン電子に６４億ドルの直接補助金を支給すると発表した。先に発表されたインテルの８５億ドル、ＴＳＭＣの６６億ドルに次いで３番目に大きい金額だ。投資金額に対する補助金の割合はサムスン電子が１４．２％でＴＳＭＣの８．５％やインテルの１０．２％より高い。ＴＳＭＣが米国投資を増やしたようにサムスン電子も２０３０年までの対米投資金額をこれまでに約束した金額より２倍以上増やした。

サムスン電子は２０２１年に１７０億ドルを投資してテキサス州にファブ（工場）を作ると発表し翌年着工した。当初の計画では今年から量産を始める日程だったが、補助金と建設遅延問題で本格量産は来年に始める予定だ。米商務省関係者は前日ホワイトハウスでの事前会見で「テイラーの最初のファブで４ナノメートル（１ナノメートル＝１０億分の１メートル）だけでなく２ナノ半導体まで生産するだろう。２番目のファブでも２０２７年に２ナノ　チップを生産するだろう」と明らかにした。

バイデン大統領はこの日声明を通じて「サムスンのテキサス生産基地はＡＩのように米国の国家安全保障に必須の先端技術を強化する最も強力なチップを生産することになるだろう。米国に対する投資意志と韓米同盟が米国各地で機会を創出していることを見せるもうひとつの事例」と話した。レモンド米商務長官は「（サムスンの投資により）１０年以内に世界の先端チップの２０％を米国で生産するという目標を達成できることになった」と話した。

半導体後工程であるパッケージング工場設立と研究開発施設投資は今回の投資計画案の核心要素に選ばれる。商務省関係者は「パッケージング工場で活用される重要技術は高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）に向けた３Ｄ積層とロジック半導体と、メモリー半導体を単一パケットにパッケージングする技術。サムスン電子はこの分野で優れた企業」と説明した。サムスン電子の慶桂顕（キョン・ゲヒョン）ＤＳ（半導体部門）社長は「ＡＩチップを製造できる最先端工程を備えて増える米国内の需要に応じ米国の半導体供給網向上を助けるだろう」と明らかにした。

通常、半導体企業の最先端工程は自国工場で生産する。技術流出の懸念などセキュリティに敏感だからだ。だがＴＳＭＣとサムスン電子は最先端工程である２ナノ半導体も米国で生産すると発表した。業界関係者は「米国政府のＣＨＩＰＳ法ガイドラインは補助金恩恵企業が歩留まりや価格などをすべて書き出させるようにしセキュリティに懸念があるのは事実だが、ビッグテックが集まっている米国に最先端工程を置く方が顧客誘致に有利だ」と話す。

サムスン電子が発表した米国投資は昨年の同社の全施設投資額５３兆１０００億ウォン（約５兆８９７４億円）を超える規模だ。昨年の売上額の４分の１に相当する。各国政府が先を争って天文学的な半導体投資を執行するだけに、韓国政府の支援も後押しされなければならないという声が出ている。半導体産業協会のアン・ギヒョン専務は「海外工場は補助金を受けて生産原価を低くするが、国内生産施設の競争力を向上するための悩みが必要だ」と話した。