TSMC、韓国でGAA特許集中出願
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2022.07.28 10:46
25日、サムスン電子華城(ファソン)キャンパス内の極端紫外線(EUV)専用ファウンドリー(半導体委託生産)施設の「V1ライン」。ゲートオールアラウンド(GAA)基盤の最先端工程を適用した3ナノメートルファウンドリー製品の出荷記念式が開かれた。
GAA基盤の3ナノ製品量産はサムスン電子が世界初だ。GAAは既存のフィンFET方式より電力効率と性能を画期的に高めた技術で、ファウンドリー世界1位である台湾TSMCに追いつくための「秘密兵器」だ。1-3月期基準でTSMCのファウンドリー市場でのシェアは53.6%。サムスン電子は16.3%にとどまる。
問題は特許技術だ。サムスン電子がGAA3ナノ製品の量産に成功したが、GAA関連特許出願ではTSMCに遅れをとっていることが明らかになったためだ。特許はいわゆる「未来技術」競争力の集約で、今後の技術覇権と市場のリーダーシップを左右する主要要素に選ばれる。