サムスン電子が２５日、京畿道華城（キョンギド・ファソン）キャンパスの極端紫外線リソグラフィ （ＥＵＶ）専用のファウンドリ（半導体委託生産）施設「Ｖ１ライン」でゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）技術を搭載した３ｎｍ（ナノメートル・１０億分の１メートル）ファウンドリ製品出荷式を開いた。

この日の行事はイ・チャンヤン産業通商資源部長官、サムスン電子のキョン・ゲヒョンＤＳ（半導体）部門長（社長）や協力社、ファウンドリ（半導体設計）会社代表など１００人余りが参加した。

サムスン電子ファウンドリ事業部は３ナノＧＡＡ工程量産と先制的なファウンドリ技術で事業競争力を強化していくと抱負を明らかにした。キョン社長は「サムスン電子は今回の製品量産を通じてファウンドリ事業で一線を画す業績を残した」と役職員を励まして「フィンフェットトランジスタが技術的限界にぶつかった時、新しい代案になるＧＡＡ技術の早期開発に成功したのは『無』から『有』を生み出す革新的結果」と話した。

イ長官は祝辞でサムスン電子の役職員や半導体産業界の労をねぎらい「激しい微細工程競争で先頭に立つためにサムスン電子とシステム半導体業界、素材・部品・装備業界が力を合わせてほしい」と呼びかけた。また、「政府も先週発表した半導体超強大国の達成戦略に基づいて民間投資支援、人材育成、技術開発、素材・部品・装備業界の構築に全幅的努力を惜しまないだろう」と強調した。

行事に参加した半導体装備会社ＷＯＮＩＫＩＰＳのイ・ヒョンドク代表は「サムスン電子とともに３ナノＧＡＡファウンドリ工程の量産を準備し、ＷＯＮＩＫＩＰＳの役職員の能力も一階さらに強化した」とし、「「今後とも国内の半導体装備産業の発展のためにサムスン電子とともに最善の努力をつくしていきたい」と明らかにした。

サムスン電子はＧＡＡトランジスター構造の研究を２０００年代初めから始めた。２０１７年からこれを３ナノ工程に本格的に搭載し、先月世界で初めてＧＡＡ技術を適用した３ナノ工程の量産を発表した。サムスン電子はハイパフォーマンス コンピューティング（ＨＰＣ）用システム半導体を皮切りに、モバイルシステム・オン・チップ（ＳｏＣ）などに工程を拡大適用する計画だ。同時に、３ナノＧＡＡファウンドリ工程の製品量産を華城キャンパスから京畿道平沢キャンパスにも拡大していくと明らかにした。