サムスン電子が世界で初めてファウンドリ（半導体委託生産）３ナノメートル（ｎｍ、１０億分の１メートル）工程の初回量産を始めたと３０日、発表した。

３ナノ工程は現在半導体製造工程の中では最も進んだ技術で、この工程ではファウンドリ業界１位企業の台湾ＴＳＭＣよりサムスン電子のほうがリードしている。

半導体回路線幅は微細化するほど半導体消費電力が減り処理速度が向上するが、サムスン電子は今回の３ナノ工程で次世代トランジスタ構造「ＧＡＡ」（Ｇａｔｅ－Ａｌｌ－Ａｒｏｕｎｄ）新技術を世界で初めて適用した。

ＧＡＡ技術は工程微細化に伴うトランジスタの性能低下を減らし、データ処理速度と電力効率を上げることができ、既存のＦｉｎＦＥＴ技術から一段階進歩した次世代半導体コアテクノロジーに挙げられる。

サムスン電子は「３ナノＧＡＡ第１世代工程が既存の５ナノＦｉｎＦＥＴ工程と比較して電力を４５％節減して性能は２３％向上させ、半導体面積を１６％減らすことができる」と説明した。

来年導入される予定の３ナノＧＡＡ第２世代工程は電力５０％節減、性能３０％向上、面積３５％縮小などの性能が予想されるとサムスン電子は説明した。

今回の３ナノ工程は先端ファウンドリＥＵＶ（極端紫外線）工程が適用されているサムスン電子華城（ファソン）キャンパスＳ３ラインで生産される。

サムスン電子は高性能コンピューティング（ＨＰＣ、Ｈｉｇｈ－Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ）用システム半導体の量産に３ナノ工程をまず適用し、今後モバイルＳｏＣ（システム・オン・チップ）等に拡大していく方針だ。

サムスン電子ファウンドリ事業部長（社長）のチェ・シヨン氏は「サムスン電子はファウンドリ業界で初めてＦｉｎＦＥＴ、ＥＵＶなど新技術を先制的に導入して急成長してきた。今回ＧＡＡ技術を適用した３ナノ工程のファウンドリサービスを世界で初めて提供することになった」と明らかにした。

あわせて「今後も差別化された技術を積極的に開発し、工程成熟度をいち早く高めるシステムを構築していく」と抱負を語った。

サムスン電子は今回の３ナノ量産を契機に世界１位ファウンドリ企業である台湾ＴＳＭＣの追撃にもスピードを出す計画だ。

台湾市場調査企業のＴｒｅｎｄＦｏｒｃｅによると、今年１－３月期を基準とした世界ファウンドリ市場シェアはＴＳＭＣが５３．６％で１位、サムスン電子が１６．３％で２位だった。

ＴＳＭＣは今年下半期内に３ナノ半導体の量産を始め、ＧＡＡ技術は２ナノ工程から適用する計画だという。

サムスン電子は２０２５年ＧＡＡ基盤の２ナノ工程を始める予定だ。