ファウンドリー（半導体委託生産）市場世界１位の台湾ＴＳＭＣがサムスン電子の追撃を引き離すための「超格差戦略」を加速化している。

２６日のデジタイムズと日本経済新聞など外信によると、ＴＳＭＣは前日開かれたオンライン技術シンポジウムで、２０２４年の量産を目標に２ナノメートル級半導体工場を建設すると正式に発表した。

この日ＴＳＭＣのケビン・チャン上級副社長は、「２ナノ半導体工場の用地取得に向けた交渉手続きを進めている」と明らかにした。ＴＳＭＣが２ナノプロセス技術関連の細部計画を公開したのは今回が初めてだ。

半導体製造プロセスのナノメートル単位は半導体回路線幅を意味する。数字が小さいほど半導体の大きさが小さくなり性能と電力効率が上がる。たとえばサムスン電子とＴＳＭＣがそれぞれ開発した３ナノプロセスは７ナノプロセスで作った半導体に比べ性能は３５％、電力効率は５０％優れているが大きさはほぼ半分だ。半導体素材であるウエハー１枚から生産できるチップも多くなり、メーカーの立場では原価も大きく減らせる。

ＴＳＭＣが２ナノプロセス技術開発に成功すれば後発走者との格差をさらに広げられるという意味だ。サムスン電子はまだ２ナノ開発計画を公式に明らかにしていない。

ＴＳＭＣは本社が位置した台湾・新竹にある新竹科学工業園区に約２０兆ウォンを投資して新工場を建てる予定だ。ＴＳＭＣは２０１８年に７ナノチップ量産に入ったのに続き、今年上半期にはサムスン電子に先立ち５ナノ量産に入った。サムスン電子が先に開発した３ナノプロセスもやはり２０２２年下半期に量産を始めるという目標だ。サムスン電子は今年下半期に５ナノプロセスの量産に入る予定だ。