SKハイニックス、第3世代10ナノ級16Gb DRAM開発
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2019.10.21 17:05
SKハイニックスが第3世代10ナノ級(1z)微細工程を適用した16Gb(ギガバイト)DRAMを開発した。SKハイニックスは21日、「第3世代のDRAMのうち業界最高水準の容量と速度の16G DDR4 DRAMを開発した」とし「年内に量産の準備を終えて来年から本格的に市場に出荷する計画」と明らかにした。
DRAMはパソコンやIT機器から情報を速く伝達して処理する機能を担当する。2001年に発売されたDDR RAMは200-400Mbpsの転送速度、容量は64Mb-1Gbだった。DDRの後ろの数字が1つ高くなるほど動作速度が2倍ずつ高まる。DDR2はDDRより処理速度が2倍、DDR4は8倍ほど速い。