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SKハイニックス、96層の4D NAND開発に成功…韓国半導体危機論を突破

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2018.11.05 15:09
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SKハイニックスがNAND型フラッシュメモリーのうち最多層の96層4D(4次元)NAND型フラッシュメモリーの開発に成功した。

SKハイニックスは4日、「3D NAND型フラッシュに主に適用されるCTF構造にPUC技術を結びつけた96層512ギガビットの4DNAND型フラッシュメモリーを先月、世界で初めて開発し、年内に最初の量産に入る」と発表した。96層NAND型フラッシュメモリーは世界1位のサムスン電子と2位の東芝メモリが今年下半期に量産を始めた現存最高性能のNAND型フラッシュメモリー。

昨年4月に72層3D NAND型フラッシュを開発したSKハイニックスは1年半ぶりに96層技術まで完成させた。チップのサイズは従来の72層512ギガビット3D NANDより30%以上小さい。このためスマートフォン用モバイルパッケージにも搭載可能だ。ウェハーあたりのビット生産も1.5倍向上した。同時に処理が可能なデータ量は業界最高水準の64キロバイトと倍増した。新製品チップ一つで、従来の256ギガビット3D NAND2個分に相当する。SKハイニックス側は「書き込みと読み出しの性能が従来の72層製品よりそれぞれ30%、25%向上した」と強調した。

SKハイニックスが今回「世界初」タイトルをつけた理由は、従来の一部の企業が2D NANDで採用した構造(フローティングゲート)の代わりに3D NANDとして使用するCTF(Charge Trap Cell)構造にPUC(Peri Under Cell)技術を結びつけたからだ。PUC技術はデータを保存するセル領域の下部にセルの作動を掌握する周辺部(Peri)回路を配置する技術。マンション(NAND型フラッシュメモリー)に必要な駐車場を建物の隣ではなく、空間効率を上げるため地下に設置したのと似た原理だ。

SKハイニックスは今回の96層4D NAND型フラッシュメモリーを、忠清北道清州(チョンジュ)で先月竣工して本格的な稼働に入ったM15工場で量産する予定だ。

今回の新製品開発を受け、NAND型フラッシュメモリー市場で相対的に競争力が低かったSKハイニックスがNAND主導権競争で頭角を現わすかどうかが注目される。SKハイニックスは世界DRAM市場でサムスン電子に続いて2番目だが、NAND型フラッシュメモリー市場では約10%のシェアで、サムスン電子、東芝、ウエスタンデジタルに続いて4番目にとどまっている。昨年のSKハイニックスの売上高でNAND型フラッシュメモリーが占める比率は約22%だったが、今年上半期には18%に落ちた。

さらにNAND型フラッシュメモリー価格はメモリー半導体の供給拡大と需要不振で今年9%以上も下落し、「半導体危機論」が強まっている。SKハイニックスは新製品を通じて供給を拡大し、危機論を突破するという戦略だ。

まずSKハイニックスは4D NAND型フラッシュメモリーを搭載した1TB(テラバイト)容量の消費者用SSD(ソリッドステートドライブ)を年内に出す予定だ。SSDとは、NAND型フラッシュメモリーに情報を保存する次世代大容量保存装置。

SKハイニックスのキム・ジョンテ常務(NANDマーケティング担当)は「CTF基盤の96層4D NAND型フラッシュメモリーは業界最高レベルのコスト競争力と性能を同時に備えている」とし「今回と同じ技術を適用した次世代128層4D NANDも同時に開発している」と明らかにした。



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    2018.11.05 15:09
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    SKハイニックスが開発した96層・512ギガビット4D NAND型フラッシュメモリーとソリューション製品。(写真=SKハイニックス)
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