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SKハイニックス、第3世代10ナノ級16Gb DRAM開発

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2019.10.21 17:05
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SKハイニックスが第3世代10ナノ級(1z)微細工程を適用した16Gb(ギガバイト)DRAMを開発した。SKハイニックスは21日、「第3世代のDRAMのうち業界最高水準の容量と速度の16G DDR4 DRAMを開発した」とし「年内に量産の準備を終えて来年から本格的に市場に出荷する計画」と明らかにした。

DRAMはパソコンやIT機器から情報を速く伝達して処理する機能を担当する。2001年に発売されたDDR RAMは200-400Mbpsの転送速度、容量は64Mb-1Gbだった。DDRの後ろの数字が1つ高くなるほど動作速度が2倍ずつ高まる。DDR2はDDRより処理速度が2倍、DDR4は8倍ほど速い。

DRAMは速度と容量が増えるほど電気信号を送る回路の幅はさらに狭くならなければいけない。10ナノはこの回路の幅(線幅)を1億分の1メートルの10ナノメートル台で描くことができる工程だ。工程段階別に1x、1y、1zに区分し、xからzに向かう工程が微細になる。1zは10ナノ領域内でも現在最も微細な第3世代水準に入ったという意味だ。

SKハイニックスが開発したDDR4 RAMのデータ転送速度は最高速度の3200Mbpsで、電力の効率を大幅に高めた。また、超高価な極端紫外線(EUV)露光工程でなくとも微細回路を描くことができ、コスト競争力を持つ。その結果、10ナノ級第2世代(1y)製品より生産性は約27%向上し、電力消費は約40%減らしたというのが、SKハイニックスの説明だ。SKハイニックスのイ・ジョンフンDRAM開発事業1zTF長は「第3世代10ナノ級DDR4 DRAMは高性能・高容量DRAMを求める顧客に最も適した製品」と述べた。

一方、サムスン電子は今年3月、第3世代10ナノ級(1z)8Gb DDR4 DRAMを開発して下半期から量産するという計画を、米マイクロンは8月に16Gb DDR4 DRAMを量産すると発表している。

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    2019.10.21 17:05
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    SKハイニックスが開発した第3世代(1z)10ナノ級16Gb DDR4 RAM [写真 SKハイニックス]
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