韓国ＳＫハイニックス、１２８層の４Ｄ ＮＡＮＤ世界初開発
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2019.06.27 10:19
ＳＫハイニックスが世界で初めて１２８層の４Ｄ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー開発に成功し、今年下半期（７－１２月）に製品の量産に入る。従来の９６層の４Ｄ ＮＡＮＤと比較すると生産性が４０％向上するという。
ＳＫハイニックスは２６日、「１２８層１テラビット（Ｔｂ）ＴＬＣ（Ｔｒｉｐｌｅ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）４Ｄ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」の開発に成功し、量産を始めると明らかにした。昨年１０月に９６層４Ｄ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発してから８カ月ぶりだ。
ＳＫハイニックスは「同じ４Ｄプラットホームを活用しながらも工程の最適化で９６層に３２層を追加積層し、全体の工程数を５％減らした」と説明した。
ＳＫハイニックスは２６日、「１２８層１テラビット（Ｔｂ）ＴＬＣ（Ｔｒｉｐｌｅ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）４Ｄ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」の開発に成功し、量産を始めると明らかにした。昨年１０月に９６層４Ｄ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発してから８カ月ぶりだ。
ＳＫハイニックスは「同じ４Ｄプラットホームを活用しながらも工程の最適化で９６層に３２層を追加積層し、全体の工程数を５％減らした」と説明した。