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韓国SKハイニックス、128層の4D NAND世界初開発

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2019.06.27 10:19
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SKハイニックスが世界で初めて128層の4D NAND型フラッシュメモリー開発に成功し、今年下半期(7-12月)に製品の量産に入る。従来の96層の4D NANDと比較すると生産性が40%向上するという。

SKハイニックスは26日、「128層1テラビット(Tb)TLC(Triple Level Cell)4D NAND型フラッシュメモリー」の開発に成功し、量産を始めると明らかにした。昨年10月に96層4D NAND型フラッシュメモリーを開発してから8カ月ぶりだ。

DRAM、NAND型フラッシュメモリーなどメモリー半導体価格が落ちる中、SKハイニックスが今年1-3月期に赤字を出したNAND型フラッシュメモリー分野で突破口を開こうとしている。従来の3D NANDフラッシュ工程と比較して半導体設計過程で最大の難題となる面積問題を解決し、生産効率を高めた。

SKハイニックスは「同じ4Dプラットホームを活用しながらも工程の最適化で96層に32層を追加積層し、全体の工程数を5%減らした」と説明した。

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    2019.06.27 10:19
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