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韓経:SKハイニックス「東芝に先立ち3次元NAND量産…後発ランナー弱点克服」(1)

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2016.02.29 14:14
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「これが3次元(3D)NANDです。平面製品よりも深く掘った回路がしっかり見えるでしょう」

SKハイニックス清州(チョンジュ)工場のM12生産ラインでキム・ジョンヒョンNANDファブ1チーム長が、加工中のフープ(foup、半導体工程でウエハーを入れて移動させる容器)を持ち出して見せてくれた。フープ中にある25枚のウエハー上面に回路図がきめこまかく打ち込まれていた。この会社が先週、工程に導入して加工中の3次元NANDチップだ。このチップは1カ月半の工程が終わる4月初めにSKハイニックスのロゴを付けて出荷される。NAND業界の後発ランナーであるSKハイニックスが「NANDの元祖」である日本の東芝や米国マイクロンを抜いて世界で2番目に3次元NANDの量産に入ったのだ。

◆世界2番目に3次元NAND量産

メモリー半導体業界はこれまで工程微細化を通じてチップの容量と性能を高めてきた。チップの回路線幅を減らせば直径30センチのウエハー1枚で作ることができるチップ数が増え、電子の移動スピードは速くなる。データ処理スピードがさらに速く電力消耗が少ない半導体をもっと多く生産することができる。だが数年前から工程微細化は壁にぶちあたった。10ナノメートル(1ナノメートル=10億分の1メートル)台に入って線幅をもっと減らすには途方もない投資と努力が必要になったのだ。

3次元NANDはこのような状況を打開するために開発された。平面で回路線幅を減らすのが難しくなると最初から垂直に回路を作って容量と速度を改善した。だが実際の工程は話のように容易ではなかった。10年以上研究した末にサムスン電子が2013年末に24段製品を開発し、昨年8月から48段製品の生産を始めた。NANDを初めて開発して元祖と呼ばれる日本の東芝はもちろんマイクロンもまだ量産できずにいる。

こうした中でSKハイニックスが出た。この会社は平面NANDを生産中のM12ラインの生産能力の中で5~10%を投じて36段3次元NANDを生産している。ウエハー基準で月2万~3万枚規模だ。今年の下半期に48段開発を完了すれば利川(イチョン)M14の2階に専用ラインを作って生産量を増やす計画だ。清州工場のそばに25万平方メートルの敷地も確保した。SKハイニックスは清州市と先月26日、投資協約を結んでここに15兆5000億ウォンを投じることにした。3次元NAND工場を作る案が有力だ。
韓経:SKハイニックス「東芝に先立ち3次元NAND量産…後発ランナー弱点克服」(2)


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    韓経:SKハイニックス「東芝に先立ち3次元NAND量産…後発ランナー弱点克服」(1)

    2016.02.29 14:14
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    3次元NAND型フラッシュメモリーの量産に入ったSKハイニックス清州(チョンジュ)工場でキム・ジョンヒョンなNANDファブ1チーム長がフープを持って見せている。
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