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インテル「メモリー業界版図変える」…サムスン・SKハイニックス「緊張」(1)

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2015.07.30 14:42
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米インテルとマイクロンテクノロジーが来年中に大量生産すると明らかにした「3Dクロスポイント」は保存速度を画期的に高めたメモリー半導体だ。

世界メモリー半導体業界1、2位のサムスン電子とSKハイニックスも似た技術を持つ。しかし量産は3年後に可能と予想している。「インテル-マイクロン連合」に国内の業界が緊張する理由だ。

◆NANDより1000倍速いメモリー

インテルとマイクロンは29日、この技術を発表し、「メモリー技術の突破口」と述べた。両社は「NAND型フラッシュメモリーが1989年に導入されてから約25年で新しいメモリーカテゴリーが作られる」と説明した。マイクロンのマーク・アダムス社長は「これは完全に新しいパラダイム」とし「この技術がNAND型フラッシュメモリーとDRAMを合わせて785億ドル規模のメモリーチップ市場に破壊的な革新を起こすだろう」と述べた。

このメモリーチップが電源供給が切れても記憶された内容を保存する「非揮発性メモリー」という点はNAND型フラッシュメモリーメモリーと同じだ。しかし速度と耐久性が従来のNAND型フラッシュメモリーの1000倍にのぼるというのが両社の説明だ。この技術を利用したメモリーチップは大規模データでパターンを探し出さなければいけない音声認識や金融詐欺探知、遺伝子研究などに有用だという。

インテルのチャールズ・ブラウン研究員はこの日、ソウルのコエックスインターコンチネンタルホテルで開かれた国内ブリーフィングで、「ビッグデータ時代を迎え、データ使用量が増え続ける中、DRAMやNANDを上回る新しいメモリー半導体の必要性が高まっている」とし「インテルとマイクロンは10年間の研究開発の末、特殊素材を利用して解決方法を見つけ出した」と述べた。また「この技術が今後メモリー市場の版図を変えることになるだろう」と自信を表した。

市場調査会社IDCによると、世界で生産されるデータの量は2013年の4ZB(ゼタバイト)から2020年には44ZBと10倍以上に増えるという。
インテル「メモリー業界版図変える」…サムスン・SKハイニックス「緊張」(2)


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    2015.07.30 14:42
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    インテルのソリッドステートドライブ(SSD)ソリューショングループのチャールズ・ブラウン研究員が次世代メモリー半導体「3Dクロスポイント」について説明している。(インテル提供)
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