米インテルとマイクロンテクノロジーが来年中に大量生産すると明らかにした「３Ｄクロスポイント」は保存速度を画期的に高めたメモリー半導体だ。

世界メモリー半導体業界１、２位のサムスン電子とＳＫハイニックスも似た技術を持つ。しかし量産は３年後に可能と予想している。「インテル－マイクロン連合」に国内の業界が緊張する理由だ。

◆ＮＡＮＤより１０００倍速いメモリー

インテルとマイクロンは２９日、この技術を発表し、「メモリー技術の突破口」と述べた。両社は「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが１９８９年に導入されてから約２５年で新しいメモリーカテゴリーが作られる」と説明した。マイクロンのマーク・アダムス社長は「これは完全に新しいパラダイム」とし「この技術がＮＡＮＤ型フラッシュメモリーとＤＲＡＭを合わせて７８５億ドル規模のメモリーチップ市場に破壊的な革新を起こすだろう」と述べた。

このメモリーチップが電源供給が切れても記憶された内容を保存する「非揮発性メモリー」という点はＮＡＮＤ型フラッシュメモリーメモリーと同じだ。しかし速度と耐久性が従来のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの１０００倍にのぼるというのが両社の説明だ。この技術を利用したメモリーチップは大規模データでパターンを探し出さなければいけない音声認識や金融詐欺探知、遺伝子研究などに有用だという。

インテルのチャールズ・ブラウン研究員はこの日、ソウルのコエックスインターコンチネンタルホテルで開かれた国内ブリーフィングで、「ビッグデータ時代を迎え、データ使用量が増え続ける中、ＤＲＡＭやＮＡＮＤを上回る新しいメモリー半導体の必要性が高まっている」とし「インテルとマイクロンは１０年間の研究開発の末、特殊素材を利用して解決方法を見つけ出した」と述べた。また「この技術が今後メモリー市場の版図を変えることになるだろう」と自信を表した。

市場調査会社ＩＤＣによると、世界で生産されるデータの量は２０１３年の４ＺＢ（ゼタバイト）から２０２０年には４４ＺＢと１０倍以上に増えるという。


インテル「メモリー業界版図変える」…サムスン・ＳＫハイニックス「緊張」（２）