サムスン電子、3次元NAND型フラッシュメモリー量産の意味と展望(1)
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2013.08.07 10:25
Aデパートでマーケティングを担当するキム・チョルス課長はライバル会社のデパートを見回った後、メガネフレームから1テラバイト(TB)容量のメモリーカードを取り出した。小さなチップに100時間以上の高画質動画が収まり、ライバル会社の状況分析に大いに役立つ。サムスン電子が6日に世界で初めて出した3次元垂直構造NAND型フラッシュメモリー(3D V NAND)がもたらす未来像だ。
サムスン電子の崔定赫(チェ・ジョンヒョク)専務は「今は128ギガビット(Gb)を量産するレベルだが、5年ほど経過すれば1テラビット(Tb、1Tbは1000Gb)級メモリーが出てくるだろう」と述べた。ノートブックにスーパーコンピューター並みのメモリー保存装置を搭載できるということだ。