三星（サムスン）電子は２２日午前、京畿道華城（キョンギド・ファソン）のナノシティキャンパスで、メモリー１６ライン稼動式と世界の半導体メーカーで初めて２０ナノＤＲＡＭ・フラッシュの量産行事を行うと明らかにした。
行事には三星電子の李健熙（イ・ゴンヒ）会長ら経営陣とソニーの中川裕副会長をはじめとする世界のＩＴ企業関係者ら５００人余りが出席する。
マイクロソフトのスティーブ・バルマー最高経営責任者（ＣＥＯ）、ＨＴＣのシェール・ワン会長、デルのジェフリー・クラーク副会長、レノボのヤン・ユアンチンＣＥＯ、ＩＢＭのフラン・オサリバン副社長らはビデオメッセージを送り、三星電子がＮＡＮＤフラッシュを主力として量産する世界最大規模のメモリー１６ラインを稼動し、業界初の２０ナノ級ＤＲＡＭを量産することを祝うという。
三星電子はこれによりメモリー半導体のリーディングカンパニーとしての位置づけを強化できることになった。