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三星電子、日本の次世代LCD核心技術特許を契約

ⓒ 中央日報日本語版2011.07.21 16:51
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三星(サムスン)電子が次世代高精密液晶表示装置(LCD)の核心技術を日本研究チームから買ったと、日本の各メディアが21日報じた。

三星電子は、細野秀雄東京工業大教授が発明した高性能薄膜トランジスタ(IGZO TFT)の特許ライセンス契約を、研究支援機関の日本科学技術振興機構(JST)と締結したと21日、明らかにした。

この薄膜トランジスタは水素化アモルファスシリコン(Si)で作った従来のアモルファス半導体とは違い、インジウム(In)・ガリウム(Ga)・亜鉛(Zn)・酸素(O)を材料にした透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)で、電子移動速度は従来に比べて10-20倍速いという。 これをLCDに応用する場合、解像度を10倍ほど高められると期待されている。

三星電子はこの技術をスマートフォンのほか、大型および3次元型ディスプレーの開発に適用し、1-2年後に製品化する計画だ。

三星は今回の契約で製品の売り上げの数%を日本側に支払うことになる。 日本側は今回の特許料収入について、赤崎勇名古屋大特別教授が開発した青色発光ダイオードの特許料収入(約56億円)に匹敵する可能性があると予想している。

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