ハイニックス半導体が今年２月に開発した２０ナノ級６４ギガビット（Ｇｂ）ＮＡＮＤ型フラッシュ製品の量産を始めたと８日、明らかにした。 ２０ナノ級ＮＡＮＤ型フラッシュ製品の量産は今年４月の三星（サムスン）電子に次いで世界２番目。

三星電子に次ぐ世界２位のメモリー半導体会社ハイニックスは２０ナノ級６４Ｇｂ製品の量産で、従来の３０ナノ級３２Ｇｂ製品に比べて生産性が６０％ほど向上したと、報道資料で説明した。

ハイニックスはイスラエルの高性能ＮＡＮＤ型フラッシュ設計専門会社「Ａｎｏｂｉｔ」と戦略的提携を通じてＮＡＮＤ型フラッシュソリューション製品の開発も完了した、と明らかにした。 ハイニックスの３０ナノ級３２ＧｂＮＡＮＤ型フラッシュ製品にＡｎｏｂｉｔのコントローラーを結合したもので、データ保存エラーを最小化し、保存期間を延ばすとともにデータ保存性能を強化した。

パク・ソンウク副社長は「今回の量産製品で、スマートフォンやタブレットＰＣなど需要が急増するモバイル製品の部品需要に適時に対応できるようになった」と述べた。


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