ハイニックス、世界2番目に20ナノ級NAND型フラッシュメモリー開発
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2010.02.10 10:39
ハイニックス半導体が20ナノ級生産工程で64Gb(ギガビット)NAND型フラッシュメモリーを開発するのに成功したと9日、明らかにした。今回の20ナノ級技術の発表は、今月初めのインテルとマイクロンの合弁企業IMフラッシュ・テクノロジーズに続いて世界で2番目。1ナノメートルは10億分の1メートル。ナノ工程の数字が小さいほど回路幅が狭まり、300ミリウェハーでさらに多くの半導体を生産できる。
ハイニックスの研究所長のパク・ソンウク副社長は「30ナノ級工程より生産性が2倍ほど高く、業界最高レベルのコスト競争力を確保することになった」と述べた。
ハイニックスは昨年8月、30ナノ級NAND型フラッシュメモリーを開発したが、6カ月後に20ナノ級工程の開発にも成功した。07年からの半導体不況にもかかわらず、売上高の1割を研究開発に持続的に投資し、インテルとSTマイクロエレクトロニクスの合弁会社ニューモニクスと分業戦略を通してナノ工程微細化期間を短縮した。