ハイニックスも20ナノ級NAND型フラッシュ量産
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2010.08.09 15:00
ハイニックス半導体が今年2月に開発した20ナノ級64ギガビット(Gb)NAND型フラッシュ製品の量産を始めたと8日、明らかにした。 20ナノ級NAND型フラッシュ製品の量産は今年4月の三星(サムスン)電子に次いで世界2番目。
三星電子に次ぐ世界2位のメモリー半導体会社ハイニックスは20ナノ級64Gb製品の量産で、従来の30ナノ級32Gb製品に比べて生産性が60%ほど向上したと、報道資料で説明した。
ハイニックスはイスラエルの高性能NAND型フラッシュ設計専門会社「Anobit」と戦略的提携を通じてNAND型フラッシュソリューション製品の開発も完了した、と明らかにした。 ハイニックスの30ナノ級32GbNAND型フラッシュ製品にAnobitのコントローラーを結合したもので、データ保存エラーを最小化し、保存期間を延ばすとともにデータ保存性能を強化した。