三星電子が20ナノ工程開発を発表できなかった理由
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2010.02.10 10:54
三星(サムスン)電子はメモリー半導体分野で不動の世界1位だ。特に、生産効率を極大化させる技術であるナノ級微細工程の開発では‘世界初’タイトルを維持してきた。
DRAM分野で00年に150ナノ工程技術を発表して以来、最近の30ナノ級まで、10年間で9回も‘世界初’記録を維持してきた。NAND型フラッシュメモリー分野でも07年10月に30ナノ級64Gb(ギガビット)NAND型フラッシュメモリーを世界で初めて開発した。このため20ナノ級NAND型フラッシュメモリーも三星が最も早く開発すると予想されていた。