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ハイニックス、世界2番目に20ナノ級NAND型フラッシュメモリー開発

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2010.02.10 10:39
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 ハイニックス半導体が20ナノ級生産工程で64Gb(ギガビット)NAND型フラッシュメモリーを開発するのに成功したと9日、明らかにした。今回の20ナノ級技術の発表は、今月初めのインテルとマイクロンの合弁企業IMフラッシュ・テクノロジーズに続いて世界で2番目。1ナノメートルは10億分の1メートル。ナノ工程の数字が小さいほど回路幅が狭まり、300ミリウェハーでさらに多くの半導体を生産できる。

ハイニックスの研究所長のパク・ソンウク副社長は「30ナノ級工程より生産性が2倍ほど高く、業界最高レベルのコスト競争力を確保することになった」と述べた。

ハイニックスは昨年8月、30ナノ級NAND型フラッシュメモリーを開発したが、6カ月後に20ナノ級工程の開発にも成功した。07年からの半導体不況にもかかわらず、売上高の1割を研究開発に持続的に投資し、インテルとSTマイクロエレクトロニクスの合弁会社ニューモニクスと分業戦略を通してナノ工程微細化期間を短縮した。

ハイニックスは20ナノ級の64GbのNAND型フラッシュメモリーを今年下半期から量産する計画だ。また今年NAND型フラッシュメモリー専用ラインの清州(チョンジュ)工場に1兆ウォン(800億円)を投資し、生産能力を2倍に増やす。64GB(ギカバイト)メモリー時代を先導する戦略だ。64GBは、MP3音楽ファイル1万6000曲、DVD映画40本、日刊新聞400年分の情報を保存できる容量。

ハイニックスは通信技術に適用されたノイズ除去技術をNAND型フラッシュメモリー半導体の開発に適用し、工程をさらに微細化する研究も推進する。ノイズ除去技術は一つのセルにある各情報を物理的に分離し、セル間の干渉によって生じるデータ重複現象をなくす技術。

パク副社長は「この技術を半導体に適用すれば、NAND型フラッシュメモリー工程の微細化の限界を20ナノ級以下に拡張し、10ナノ級NAND型フラッシュメモリー生産も可能」と説明した。

今年のNAND型フラッシュメモリー市場の主力製品は30ナノ級で、来年から20ナノ級が主力に浮上する見込みだ。昨年のグローバル市場シェアは三星(サムスン)電子が39.6%で1位、日本の東芝(33.9%)とハイニックス(9.9%)が後に続いた。

フラッシュメモリー=MP3プレーヤー・デジタルカメラ・携帯電話などでデータを保存・削除する半導体。電源が消えても記録された内容が消えない非揮発性記憶装置で、資料の保存が主な用途。DRAMは中央処理処置(CPU)が作業をするためにデータをしばらく保管するところで、電源を切ればその内容が消える。

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