ハイニックス半導体が40ナノ級の半導体DRAMを生産する技術を開発したと発表した。今回開発されたナノプロセスでの生産技術は、速度が速いDDR3DRAM生産に世界で初めて適用されたものだ。これによりハイニックスは最近40ナノDDR2DRAMを初めて開発した三星(サムスン)電子とともに40ナノ級半導体時代を開いた。40ナノ半導体を生産できる技術を持つ企業は世界で韓国の三星電子とハイニックスだけだ。現在50ナノ半導体生産工程を商用化した企業も三星電子とハイニックスだけだ。韓国の2大半導体メーカーが、まだ60~70ナノクラスのプロセスにとどまっている外国の半導体メーカーを技術力で大きく引き離しているのだ。
40ナノDRAMの生産性は既存の50ナノに比べ50~60%高いという。海外メーカーが運営する60~70ナノ級とはまったく比較できないほど生産性が高い。ナノプロセス技術こそ半導体産業の競争力を左右する核心要素だ。ここで韓国企業が実力で世界の最先端を走っているのだ。このような韓国企業の技術開発能力は昨今の経済危機の中でより輝いている。先端技術力を基にした高い生産性は危機から生き残る最後のとりでだ。三星電子は昨年第4四半期に赤字を出したが、年間では黒字を守り、昨年1兆9000億ウォンの営業損失を計上したハイニックスも外資系企業に比べればまだ耐えられる。