ハイニックス半導体が回路線幅４０ナノクラスのナノプロセスによるＤＤＲ３ＤＲＡＭを生産する技術を初めて開発した。最近ＤＤＲ２ＤＲＡＭ開発で初めて４０ナノ半導体時代を開いた三星（サムスン）電子に次いでハイニックスもこの隊列に加わった。他の国の競合メーカーとの技術格差は２～３に拡大した。

ハイニックス半導体が８日に公開した４０ナノ製品は、１ギガビット容量のＤＤＲ３ＤＲＡＭで、第３四半期に量産に入る。昨年初めて市場に登場したＤＤＲ３は、ＤＤＲ２より動作速度が速く、来年上半期にはＤＲＡＭ分野の主力製品として浮上する見通しだ。三星電子も４０ナノＤＤＲ２技術を活用して第３四半期に２Ｇｂ容量の４０ナノＤＤＲ３を生産する予定だ。

半導体産業でナノプロセス技術は競争力の根源となる。国内メーカーの４０ナノＤＲＡＭの生産性は従来の５０ナノ製品より５０～６０％高い。さらに現在の５０ナノプロセスを運営するメーカーも三星電子とハイニックスだけだ。下半期に４０ナノプロセスまで稼働すれば、６０～７０ナノプロセスにとどまる海外メーカーとの格差はより広がる。

国内半導体メーカーは資金面でも状況はましなほうだ。三星電子は半導体で昨年第４四半期に赤字に転落したが、営業損失率は１４％にとどまり、年間では黒字を守った。昨年１兆９０００億ウォン（約１２７０万円）の営業損失を出したハイニックスは最近借入と有償増資で８２４０億ウォンを調達したのに続き、装備売却などで１兆ウォンを追加で確保する計画だ。これに対し世界５位の独キマンダは先月に破産を申請した。３位の日本のエルピーダメモリは昨年第４四半期に営業損失率９３．７％に達し、政府に５００億円の公的資金注入の要請を検討している。台湾も自国のＤＲＡＭメーカーを支援するため政府が７００億台湾ドルの資金を確保している。