ハイニックス、40ナノDDR3DRAMを世界初開発
ハイニックス半導体が回路線幅40ナノクラスのナノプロセスによるDDR3DRAMを生産する技術を初めて開発した。最近DDR2DRAM開発で初めて40ナノ半導体時代を開いた三星(サムスン)電子に次いでハイニックスもこの隊列に加わった。他の国の競合メーカーとの技術格差は2~3に拡大した。
ハイニックス半導体が8日に公開した40ナノ製品は、1ギガビット容量のDDR3DRAMで、第3四半期に量産に入る。昨年初めて市場に登場したDDR3は、DDR2より動作速度が速く、来年上半期にはDRAM分野の主力製品として浮上する見通しだ。三星電子も40ナノDDR2技術を活用して第3四半期に2Gb容量の40ナノDDR3を生産する予定だ。
半導体産業でナノプロセス技術は競争力の根源となる。国内メーカーの40ナノDRAMの生産性は従来の50ナノ製品より50~60%高い。さらに現在の50ナノプロセスを運営するメーカーも三星電子とハイニックスだけだ。下半期に40ナノプロセスまで稼働すれば、60~70ナノプロセスにとどまる海外メーカーとの格差はより広がる。