サムスン電子が京畿道・平沢（キョンギド・ピョンテク）キャンパス第4工場（P4）に新たなDRAM生産ラインを構築し、第6世代高帯域幅メモリー（HBM4）の生産能力拡大に乗り出す。半導体供給が需要に追いつかない逼迫局面が続く中、次世代HBMを軸にメモリー主導権を強化しようとする動きとみられる。

5日、業界によると、サムスン電子は来年1-3月期までに平沢キャンパスP4に月10万～12万枚規模のDRAMウエハーを生産できる新規ラインを設置する内部計画を立てたと伝えられた。増設ラインはHBM4に搭載される10ナノ級第6世代（1c）DRAM専用とされる。

1c DRAMはHBM4に適用される最先端プロセスの製品だ。HBM4には1c DRAMが12段積層方式で組み込まれる。サムスン電子は今年、エヌビディアやAMDなどグローバル・ビッグテック（大手技術企業）を対象にHBM4の供給に乗り出す計画で、今月中にも量産供給を開始すると伝えられている。

現在、サムスン電子のDRAMウエハー生産能力は月66万枚規模だ。P4新規ラインが完了すれば、DRAM生産能力は最大18％拡大する見通しだ。業界では今回の投資に数十兆ウォンが投入されるとの見方もある。

HBM4向けの生産比重も大きく拡大する。サムスン電子は昨年までに月6万～7万枚規模の1c DRAM生産ラインを構築したとされる。ここに最大12万枚が追加される場合、全体のDRAM生産能力（約78万枚）のうちHBM4向けDRAMの比重は約25％に達する。

サムスン電子がHBM生産能力拡大を加速させる背景には、メモリー市場の急激な回復がある。市場調査会社カウンターポイントリサーチによると、今年1-3月期のメモリー価格は前期比80～90％上昇する見通しだ。人工知能（AI）サーバー需要拡大に伴い、高性能・大容量メモリー確保競争が本格化しているとの分析だ。

サムスン電子は昨年10-12月期の業績発表で「今年のCAPEX（設備投資）は前年に比べ大幅に増加する」とし、「新規ファブ（工場）とクリーンルームの先行整備を通じて設備投資を拡大する計画だ」と明らかにした。続けて「AI応用市場への対応のため、DRAMは1cナノ、NANDはV9を中心に最先端プロセスの生産能力確保を加速させる」と付け加えた。