世界ファウンドリー（半導体委託生産）競争が熱くなっている。台湾ＴＳＭＣが独走する中、インテルは先端工程を前に出して帰還を準備中であり、市場３－５位圏企業の買収・合併説など後発走者の合従連衡も激しい。市場２位のサムスン電子はメモリーとファウンドリー事業の協力を強化して反転を模索する戦略だ。

インテルのリップブー・タン新最高経営責任者（ＣＥＯ）は先月３１日（現地時間）、米ラスベガスで「インテルビジョン」カンファレンスを開き、「インテル製品の競争力を強化すると同時に最高のファウンドリー構築にも専念する」と述べた。タンＣＥＯは特に業界最先端の１．８ナノ級（１８オングストローム、１８A）工程の量産技術力を強調した。タンＣＥＯは「１８Ａ工程を適用した中央処理装置（ＣＰＵ）製品が下半期から大量生産に入る」と伝えた。現在、ＴＳＭＣとサムスン電子が量産収率を確保している先端工程は３ナノ（ｎｍ、１ｎｍ＝１０億分の１ｍ）水準。タンＣＥＯは「毎週、技術陣と共に工程の改善を直接点検している」とし「（１８Ａより微細工程の） １４Ａ工程も発展させていく」と強調した。現在市場１０位圏のインテルは先端工程で２０３０年までにサムスンを抜いて２位に浮上すると意気込んでいる。

米グローバルファウンドリーズと台湾ＵＭＣの合併の可能性も変数だ。日本経済新聞とブルームバーグ通信は先月３１日、情報筋を引用し、両社が合併を検討していると報じた。市場調査会社カウンターポイントリサーチによると、昨年１０－１２月期の売上高基準でファウンドリー市場は２位のサムスン電子（１１％）に続いてグローバルファウンドリーズ、ＵＭＣ、中国ＳＭＩＣがそれぞれ５％のシェアとなった。グローバルファウンドリーズとＵＭＣが合併する場合、サムスンのシェアに近づく。両社ともに１２ナノ以下のレガシー（非先端）工程に注力しているだけに、サムスン電子と先端工程で直接的な競争はしない。しかし２ナノから６５ナノまで幅広い工程ラインを運営するサムスン電子の売上高の一部を蚕食する可能性がある。

サムスン電子はメモリー部門の競争力をファウンドリー事業と結びつけて突破口を模索する計画だ。人工知能（ＡＩ）の浮上で需要が急増した高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）がＨＢＭ３Ｅ（第５世代）からＨＢＭ４（第６世代）に転換される時点を機会とする戦略だ。ＨＢＭ４からは積層したＤＲＡＭの基底となるベース（ロジック）ダイの製作にファウンドリー工程が適用される。ＨＢＭ３Ｅに比べてデータ処理速度が大幅に向上するだけに演算機能を高めたベースダイを作るためには超微細工程が必須となるからだ。メモリー企業はＨＢＭ４生産過程で一部の工程をファウンドリーに依存しなければならない。

しかしサムスン電子はファウンドリー事業部を通じてＨＢＭ４ベースダイ生産を内在化することが可能だ。これに先立ち株主総会でサムスン電子のハン・ジンマン・ファウンドリー事業部長（社長）は「メモリー、ロジック（設計）、パッケージングの統合ソリューションを提供するために２つの事業部が本格的に協力する予定」と明らかにした。

祥明大のイ・ジョンファン・システム半導体工学科教授は「サムスン電子がメモリーとファウンドリー事業を同時にするというのは大きな強みだが、これまで十分に活用できなかった」とし「技術競争力を回復してＨＢＭ４で主導権を取り戻せばファウンドリー事業部の市場の地位も高まるだろう」と話した。