サムスン電子が第6世代広帯域メモリー（HBM）のHBM4を来月から量産出荷し、今年のHBM売り上げを前年比3倍以上に引き上げるという目標を提示した。

サムスン電子は29日、昨年10－12月期の業績発表企業説明会で「HBM4は主要顧客の要求性能が高まったのに再設計なく昨年サンプルを供給してから順調に顧客評価が進行している。現在クオリフィケーション完了段階に進入した」と明らかにした。続けて「2月から最上位速度11．8Gbps製品を含むHBM4を量産出荷する予定」と話した。

次世代製品であるHBM4Eは今年半ばにスタンダード製品を中心に顧客にサンプルを提供する。HBM4Eコアダイ基盤オーダーメード型製品は下半期の顧客スケジュールに合わせてウエハー投入がなされる計画だ。

次世代積層技術に挙げられるハイブリッドカッパーボンディング技術と関連しては、「昨年10－12月期HBM4基盤サンプルを主要顧客に提供して技術協議を始めた。HBM4Eで一部事業化を計画している」と説明した。

サムスン電子はHBM事業見通しについて「2026年のHBM売り上げは前年比3倍以上に大幅改善されるだろう。現在の基準で準備された生産能力は顧客から全量確保を完了した」と強調した。短期的にはHBM3E需要対応力を高める一方、HBM4とHBM4Eに向けた1cナノ工程の生産能力確保の投資も並行している。

ただし16層スタック製品の商用化には慎重な立場を見せた。サムスン電子は「HBM3EまたはHBM4の16層製品は現在顧客需要が非常に限定的。今年同一容量のHBM4E12層製品サンプリング日程などを考慮すると量産事業化は不必要と判断している」と明らかにした。ただ顧客のニーズ変化に備え16層パッケージの量産技術はすでに確保した状態だと付け加えた。

今年のメモリー設備投資は前年比で大きく増える見通しだ。サムスン電子は「AI需要好調長期化の可能性に備え新規ファブに対する先制投資を進め、需要拡大のタイミングに合わせて設備投資を迅速に執行する計画。DRAMは1cナノ、NANDはV9を中心に先端工程の生産能力確保を加速するだろう」と話した。

ファウンドリー事業ではAIと高性能コンピューティングを中心に成長への期待感を示した。サムスン電子は「今年2ナノ受注課題は前年比130％以上増加すると期待する。下半期の量産を目標に2ナノ第2世代工程の歩留まりと性能目標達成に集中している」と明らかにした。1．4ナノ工程は2029年の量産を目標に開発中で、2027年下半期には工程設計キット1．0を顧客に提供する計画だ。