「結局われわれのものを使うだろう」…中国の半導体自立、HBMとEUVだけ残った
「広帯域メモリー(HBM)臨時ボンディングの難題は異物除去です。一部材料データはここで公開するのは難しいです」。
ドイツの装備企業ズースがHBM製造過程を詳細に説明すると、会場にあふれた300人以上の観衆の多くは30分の講演全体を録画した。同じ時刻、隣の講堂で行われた原子層蒸着(ALD)装備発表でもHBMと3次元(3D)DRAMが強調された。講堂の外の企業ブースにはHBM用TCボンダー、TSV装備があちこちに配置されていた。