ＳＫハイニックスが最新で最大容量の高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）「ＨＢＭ３Ｅ」１６層製品を来週公開する。昨年１１月に製品開発を公式化してからまだ２カ月も経っていない。ＨＢＭ競争が激しい中、ＳＫハイニックスが開発ペースで「超格差」を見せている。

ＳＫハイニックスは３日、米ラスベガスで７－１０日（現地時間）に開催される家電・ＩＴショーＣＥＳ２０２５にＨＢＭ３Ｅ（第５世代）１６層サンプルを初めて公開すると明らかにした。人工知能（ＡＩ）用高性能メモリーのＨＢＭはＤＲＡＭメモリーを積層して作るが、１６層は今回が初めて。

４層、８層、１２層とＨＢＭの層数が増えるほど容量・性能が上がるが、求められる技術力と製造の難易度も高まる。特にＤＲＡＭを積み上げるほどチップが曲がったりし、密集したメモリーで発生する熱がチップの性能を落とすリスクもある。最新ＨＢＭになるほど先端パッケージングと発熱制御技術が要求される理由だ。

ＳＫハイニックスは「アドバンスド（Ａｄｖａｎｃｅｄ）ＭＲ－ＭＵＦ工程を適用してチップが曲がる現象を制御し、放熱性能を最大化した」と明らかにした。ＭＲ－ＭＵＦはＨＢＭをパッケージングする会社固有の方式だが、この技術をより一層高度化して１６層ＨＢＭも開発したということだ。第６世代のＨＢＭ４は１２層・１６層製品で出る見込みであり、半導体業界では「ＳＫハイニックスが慣れている従来の技術で１６層を開発し、ＨＢＭ４でも機先を制するようだ」という評価が出ている。

ＳＫハイニックスは最新ＨＢＭの開発・量産で相次いで初記録を出している。エヌビディアの最新ＡＩ加速器に搭載されるＨＢＭ３Ｅ１２層もＳＫハイニックスが世界で初めて大量量産に成功して納品している。

昨年１１月にソウル江南（カンナム）で開催されたＳＫ　ＡＩサミットで、エヌビディアのジェンスン・フアン最高経営責任者（ＣＥＯ）は映像インタビューで「ＨＢＭ発展ペースは立派だ」としながらも「率直に言えばもう少し速く進まなければいけない。ＨＢＭ４も６カ月以内をお願いしたい」と述べ、崔泰源（チェ・テウォン）ＳＫ会長とクァク・ノジョンＳＫハイニックス代表に催促した。