「サムスン電子半導体５０年の歴史が始まった器興（キフン）で再跳躍の足場を固め新しい１００年の未来を作ります」。

１８日、「半導体の聖地」にはサムスン電子半導体トップの誓いが響いた。

サムスン電子がこの日京畿道竜仁市（キョンギド・ヨンインシ）の器興キャンパスで開いた次世代半導体研究開発団地「ＮＲＤ－Ｋ（Ｎｅｗ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　ａｎｄ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ－Ｋｉｈｅｕｎｇ）」設備搬入式でだ。サムスン電子の全永鉉（チョン・ヨンヒョン）ＤＳ部門長（副会長）と主要事業部長は主要設備を入れる搬入式に総出動し新たな出発の意思を確かめ合った。

ＮＲＤ－Ｋはサムスン電子が未来半導体技術先取りに向け建設中である１０万９０００平方メートル規模の最先端複合研究開発団地で、２０３０年までに総額２０兆ウォン（約２兆２１６２億円）が投入される。全副会長は記念演説で「ＮＲＤ－Ｋを通じて次世代半導体技術の根源的研究から製品量産に至る好循環体系を確立し、開発速度を画期的に改善するだろう」と話した。

器興キャンパスはサムスン電子半導体神話が始まったところだ。１９７４年に韓国半導体を買収したサムスン電子は１９８３年に李秉喆（イ・ビョンチョル）創業会長（故人）の「東京宣言」後に器興で半導体事業を本格的に始めた。サムスンは１９８３年に半導体量産ラインを着工してから１０年でメモリー半導体の世界トップに上がり、その後３０年以上にわたり１位を守ってきた。

サムスンが本格的に半導体事業に参入する前の１９８２年に建てた半導体研究開発センターは現在のサムスン電子半導体研究所の母体だ。半導体研究所が技術を開発すれば、各事業部はこれを製品として量産した。メモリー半導体市場のパラダイムを変えた３次元垂直構造Ｖ－ＮＡＮＤ、業界最先端１２ナノメートル級ＤＲＡＭ、世界初第９世代Ｖ－ＮＡＮＤ、業界初量産に成功した３ナノファウンドリー（委託生産）工程などサムスン半導体の歴史を輝かせた大型の革新はいずれもこのように世に出てきた。

サムスン電子はＮＲＤ－Ｋを作って技術リーダーシップを取り戻し、研究開発と量産組織間のシナジーを最大化するという計画だ。ＮＲＤ－Ｋはメモリー、システム、ファウンドリーなど半導体のあらゆる分野の核心研究基地として、根源的技術研究から製品開発まで１カ所でできるようすべてのインフラを備えることになる。

これは全副会長が業績発表後に謝罪文まで出して明らかにした「根源的技術競争力復元」と直結する。ＮＲＤ－Ｋを中心に研究開発組織が製品設計だけでなく工程設計と量産まで念頭に置いて事業部とともに歯車のように動くサムスン本来のシステムを復元し、「技術超格差ＤＮＡ」を回復させるという戦略だ。サムスン電子は７－９月期に研究開発に四半期基準で過去最大規模となる８兆８７００億ウォンを投資した。