ＳＫハイニックスが極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備を活用した第４世代ＤＲＡＭの量産を始めた。第４世代ＤＲＡＭの量産はＤＲＡＭ市場世界３位である米マイクロンに続き２番目だ。サムスン電子も年内に第４世代ＤＲＡＭ量産計画を明らかにした。市場２位と３位のメーカーが１位のメーカーより先に次世代ＤＲＡＭの量産に成功しメモリー半導体ビッグスリーの技術競争はさらに激しくなるものとみられる。極端紫外線露光装備は半導体材料であるウエハーに光を当てて半導体回路を形成させる先端設備だ。

ＳＫハイニックスは１２日、１０ナノ級第４世代ナノプロセスを適用した８ギガビットＬＰＤＤＲ４モバイルＤＲＡＭの量産を今月初めに開始したと明らかにした。ＬＰＤＤＲ４は主にスマートフォンに使われる低電力ＤＲＡＭ半導体だ。同社関係者は「ＳＫハイニックスのＤＲＡＭで初めてＥＵＶ工程技術を通じて量産されるということに意味がある」と説明した。

ＳＫハイニックスが量産を始めた１０ナノ級第４世代（１ａ）ＤＲＡＭは最新技術だ。半導体業界は１０ナノ台ＤＲＡＭから世代別にアルファベット記号を付けて呼んでいる。１ｘ（第１世代）、１ｙ（第２世代）、１ｚ（第３世代）、１ａ（第４世代）という形だ。ＳＫハイニックスによると１ａＤＲＡＭはその前の世代（１ｚ）のような規格製品よりウエハー１枚から生産できるＤＲＡＭの数が約２５％増える。それだけコスト競争力が高い。ＳＫハイニックスは今回のＬＰＤＤＲ４製品に続き昨年１０月に世界で初めて発売した次世代ＤＲＡＭであるＤＤＲ５には来年初めから１ａ技術を適用する計画だ。

ＳＫハイニックス１ａＤＲＡＭタスクフォース長を務めるチョ・ヨンマン副社長は、「ＥＵＶを量産に本格採用することにより最先端技術を先導する企業としての地位を強固にできるだろう」と話した。

１０ナノ級１ａＤＲＡＭは１月に３位のマイクロンが業界で最初に出荷して市場に衝撃を与えた。ただマイクロンはこの製品をＥＵＶではなく既存のフッ化アルゴン（ＡｒＦ）工程で生産する。ＥＵＶ工程に比べて高効率・超小型半導体生産には不利だ。

市場２位と３位のメーカーに押され自尊心を傷つけられたサムスン電子は１月末の業績発表の際に「今年ＥＵＶ工程を適用した第４世代ＤＲＡＭ製品を生産するだろう」と明らかにした。サムスン電子関係者は「サムスン電子は昨年３月に業界で初めてＥＵＶ工程を適用して第１世代（１ｘ）１０ナノ級ＤＤＲを供給した。第４世代１０ナノ級（１ａ）ＤＲＡＭは年内に量産を始める計画」と話した。

業界関係者は「マイクロンが１ａＤＲＡＭの量産を発表した当時はフェイクニュース議論があったが、実際の量産が確認された。それだけメモリー半導体メーカー間でナノプロセスや量産技術の格差が縮まったという意味」と説明した。