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サムスン電子が危機? メモリーは先頭、ファウンドリは逆転機会(1)

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2021.06.17 15:52
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最近半導体業界では米国マイクロンテクノロジーが生産したという「176層3次元(D)NAND」製品を手に入れることが関心事だ。マイクロンが昨年11月に量産に入ったと発表したが、市場ではこの製品になかなかお目にかかれないという。匿名を求めた半導体業界関係者は16日、「研究用として製品を手に入れようと1月からさまざまなルートを通じて調べている。5カ月が過ぎた今も方法を探すことができていない」と話した。この関係者は「市場にこの製品が出回っていないということだと考えることができる」と付け加えた。

マイクロンが176層3D NANDを発売したとすればメモリー半導体でサムスン電子の技術力を超えることになる。現在サムスン電子は128層 V-NANDを作っている。サムスン電子は下半期に176層製品を量産する予定だ。表面的にはサムスン電子がマイクロンに6カ月~1年ほど遅れをとった格好だ。

グローバルメモリー半導体市場でマイクロンは占有率11.1%で5位を占めている。このようなマイクロンが昨年新製品量産を発表すると半導体業界では「サムスン電子がライバルメーカーにメモリー半導体技術トップの座を明け渡す可能性もある。半導体ファウンドリ(委託生産)分野では台湾TSMCとの格差を縮めることができるにいる」という話も出た。

マイクロンは今年4月、世界で初めて14ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)DRAMを開発したと宣言した。現在サムスン電子が量産中の15ナノDRAMの先を行く製品だ。これまで技術の「超格差」を戦略として掲げていたサムスン電子にとってはプライドが傷つけられることだった。

半導体業界では「マイクロンが技術力を誇張している」という話も出ている。韓国半導体産業協会のアン・ギヒョン専務は「後発企業は先導技術を追撃する構図なので(先発企業との)格差が狭まるのは事実だ。だが、メモリー半導体は相変らずサムスン電子が先頭」と話した。

NANDで3次元構造技術はサムスン電子が2013年に世界に先駆けて公開した。チップをアパートのように垂直に積み上げてデータ格納空間を増やすことが核心だ。サムスン電子は層を構成するセルの大きさを縮小することに注力している。サムスン電子関係者は「最近セル自体の平面積と高さを最大35%まで減らした。セルが互いに干渉する現象を制御する技術も開発した」と話した。

層を積むために穴を開ける技術(シングルスタックエッチング)も重要だ。例えば100層を積むためには10億個以上の穴を開けなければならない。この穴を開ける技術が優れているほど収率(完成品比率)が高まる。それだけ価格競争力を確保することができる。

サムスン電子は今年に入って10件を越える新技術開発を発表した。サムスン電子メモリー事業部のハン・ジンマン副社長は「下半期に14ナノDRAMと7世代 VーNANDを本格的に量産する計画」と話した。半導体業界では「以前なら営業秘密次元で全く言及することのなかった開発現況を公開して技術力を誇示する格好」という話が出ている。 サムスン電子が危機? メモリーは先頭、ファウンドリは逆転機会(2)

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