サムスン電子、200段V NAND技術確保…「超格差」を続ける
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2021.06.09 09:27
メモリー半導体世界1位であるサムスン電子がNAND型フラッシュで200段を超える8世代V NAND技術を確保したと明らかにした。今後「1000段V NAND時代」にも超格差を維持して市場をリードするという自信も表わした。
サムスン電子のソン・ジェヒョク・フラッシュ開発室長(副社長)は8日、サムスン電子ニュースルームに投稿した寄稿文を通じて「サムスン電子はすでに200段を超える8世代V NANDの動作チップを確保した」として「市場の状況と顧客のニーズに合わせて適正な時期に新製品を発表できるように準備している」と伝えた。