サムスン電子が３０兆ウォン（約２兆７０００億円）以上を投資した京畿道（キョンギド）平沢（ピョンテク）キャンパス半導体工場第２ライン（Ｐ２）が本格稼働に入ると３０日、明らかにした。９月には第３ライン（Ｐ３）も工事に入る。先制的な投資で次世代半導体市場を先に掌握するというサムスンの「超格差戦略」だ。

平沢Ｐ２の延べ面積は１２万８９００平方メートルと、サッカー場１６個分の面積で、単一半導体工場では世界最大規模となる。ここでは業界で初めて極端紫外線（ＥＵＶ）工程を適用した第３世代１０ナノ（１ｚ）モバイルＤＲＡＭをまず生産する。この製品（ＬＰＤＤＲ５）は今まで開発したモバイルＤＲＡＭのうち最も性能が良い。１秒あたりフルＨＤ級（高画質）映画（５ＧＢ）１０本ほど処理できる。サムスン電子メモリー事業部のイ・ジョンベ副社長は「今回のモバイルＤＲＡＭは歴代最高の開発上の困難を克服し、新しいパラダイムを提示した製品」と説明した。

関連業界は極端紫外線（ＥＵＶ）技術に注目している。ＥＵＶは従来のフッ化アルゴン（ＡｒＦ）に代わる次世代光源。従来の工程より性能と収率（工程成功率）は高め、製品開発期間は短縮できる。

ＥＵＶは李在鎔（イ・ジェヨン）サムスン電子副会長が重視している核心技術だ。李副会長は４月、世界初のＥＵＶ専用生産施設の京畿道華城（ファソン）「Ｖ１ライン」建設現場を訪れた。年初にはサムスン半導体研究所を訪問し、ＥＵＶ技術開発現況とライン稼働状況を点検した。

サムスン電子は平沢Ｐ２で次世代ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーと超微細ファウンドリー（半導体委託生産）製品も生産する予定だ。５月にＥＵＶ基盤のファウンドリーラインを着工し、６月にはＮＡＮＤ型フラッシュメモリー生産ライン工事も始めた。来年下半期から稼働予定の２本の生産ラインには追加で１７兆－１８兆ウォンが投入されるという。

サムスン電子は世界メモリー半導体市場で絶対的なトップ。台湾の市場調査会社トレンドフォースによると、サムスン電子の４－６月期のＤＲＡＭ市場シェアは４３．５％で圧倒的１位だった。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場でもサムスン電子はシェア３１．５％でトップを守っている。しかしシステム半導体を含む非メモリー半導体市場でサムスン電子のシェアは５％にもならない。システム半導体は世界半導体市場の売上高の約７０％を占める。

サムスン電子が２０３０年までに世界１位を達成するという「半導体ビジョン２０３０」を発表したのも、非メモリー市場を逃すことはできないという判断のためだ。李副会長は５月、平沢（ピョンテク）ＥＵＶファウンドリー投資を決め、「厳しい時であるほど未来のための投資を中断してはいけない」と強調した。