中国引き離す…サムスン電子、平沢NAND型フラッシュに9兆ウォン投資
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2020.06.02 09:24
サムスン電子が非メモリーに続きメモリー半導体への投資を加速する。サムスン電子は先月の平沢(ピョンテク)のファウンドリー(半導体委託生産)への10兆ウォンの投資に続き1日にはNAND型フラッシュ半導体に7兆~9兆ウォンを追加で投資する計画を出した。中国がDRAMとNAND型フラッシュなどメモリー半導体分野で追撃速度を高めていることから、果敢な投資でさらに引き離す戦略と分析される。いわゆる「超格差戦略」だ。
サムスン電子は1日、平沢第2ラインでNAND型フラッシュクリーンルーム工事に着手し、来年下半期から量産に入る予定だと発表した。サムスン電子関係者は「人工知能(AI)とモノのインターネット(IoT)など第4次産業革命到来と第5世代(5G)通信の普及により長期的にNAND需要が大きくなると予想される。メモリー分野に対する積極的な投資で未来市場機会を先取りしていくだろう」と話した。半導体工場は建物建設、クリーンルーム設置、装備搬入、試作品生産、量産の順序で構築される。業界では今回サムスンが投資する金額を7兆~9兆ウォン規模と推定している。