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中国引き離す…サムスン電子、平沢NAND型フラッシュに9兆ウォン投資

ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2020.06.02 09:24
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サムスン電子が非メモリーに続きメモリー半導体への投資を加速する。サムスン電子は先月の平沢(ピョンテク)のファウンドリー(半導体委託生産)への10兆ウォンの投資に続き1日にはNAND型フラッシュ半導体に7兆~9兆ウォンを追加で投資する計画を出した。中国がDRAMとNAND型フラッシュなどメモリー半導体分野で追撃速度を高めていることから、果敢な投資でさらに引き離す戦略と分析される。いわゆる「超格差戦略」だ。

サムスン電子は1日、平沢第2ラインでNAND型フラッシュクリーンルーム工事に着手し、来年下半期から量産に入る予定だと発表した。サムスン電子関係者は「人工知能(AI)とモノのインターネット(IoT)など第4次産業革命到来と第5世代(5G)通信の普及により長期的にNAND需要が大きくなると予想される。メモリー分野に対する積極的な投資で未来市場機会を先取りしていくだろう」と話した。半導体工場は建物建設、クリーンルーム設置、装備搬入、試作品生産、量産の順序で構築される。業界では今回サムスンが投資する金額を7兆~9兆ウォン規模と推定している。

NAND型フラッシュメモリーはパソコンに使われるソリッドステートドライブ(SSD)とデータセンターなどに活用される。市場調査会社のトレンドフォスによると、2020年1-3月期の世界のNAND型フラッシュ売上額は135億8000万ドルで前期比8.3%増加した。サムスン電子は売上額45億ドル、シェア33.3%で1位を記録中だ。NAND分野でサムスンは2002年から1位の座に就いている。

昨年7月には業界で初めて100層を超える第6世代VNAND製品を量産している。NANDの層はセルを何層にも積むことにより速度と安定性・効率性を向上させるもので、高度な技術力が必要だ。

サムスン電子は2030年までにメモリーだけでなく非メモリー分野でも半導体1位を目指すという「半導体ビジョン2030」を発表した。DRAMとNANDなどメモリー分野では不動の1位を守っているが、半導体市場の70%を占める非メモリー分野でサムスンだけでなく韓国企業全体の世界市場シェアが4%にすぎない。半導体ビジョン2030は投資金額だけで10年間に130兆ウォンに達する。

このためややもすると1位を占めているメモリー分野に対する投資がおろそかになるのではないかという懸念も出ている。しかし今回の投資でメモリー分野1位守成に対する意志も明確にした格好だ。サムスン電子の李在鎔(イ・ジェヨン)副会長は先月6日の記者会見で「絶え間ない革新と技術力で最もうまくできる分野に集中しながらも新事業に果敢に挑戦する」と明らかにしている。

世界の競合企業もやはりメモリー市場を狙っている。100層を超える高層NAND型メモリー量産競争も加熱している。非メモリー分野の強者であるインテルは今年144層NANDの量産計画を明らかにし、マイクロンも4-6月期に128層NANDの量産を始める。中国の長江メモリー(YMTC)もやはり先月128層NANDの開発に成功したとし、年内の量産を宣言した。SKハイニックスも176層4次元(4D)NANDを研究している。これに対応してサムスン電子は160層以上の第7世代NANDを開発中であることがわかった。

半導体業界関係者は「メモリー半導体の中でもDRAMよりNANDの技術参入障壁が低い。まだサムスンと競合企業の格差は相当にあるが、サムスンは先制的な投資で『超格差』を広げるという意図とみられる」と話した。サムスン電子メモリー事業部戦略マーケティング室のチェ・チョル副社長は「今回の投資は不確実な環境の中でもメモリー超格差をさらに拡大するための努力。最高の製品で顧客需要にスムーズに対応することで国家経済とグローバルIT産業の成長に寄与するだろう」と明らかにした。

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