サムスン電子がメモリー半導体でまたも「超格差」を証明した。１２８層の第６世代Ｖ－ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを基盤としたＰＣ用ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）を世界で初めて量産した。日本の経済報復で半導体素材調達の不確実性が高まった状況でも、技術力を通じて微細工程の限界を克服し、生産性を高める計画だ。

サムスン電子は「第６世代２５６Ｇｂ（ギガビット）ＴＬＣ　Ｖ－ＮＡＮＤ」を基盤とした企業用ＰＣ　ＳＳＤを量産し、グローバルＰＣ企業に供給したと６日、発表した。具体的な積層数を明らかにする代わりに「１ＸＸ層」と表現したが、市場では１２８層に成功したと見なしている。１２８層ＮＡＮＤ量産はＳＫハイニックスがすでに６月に世界で初めて成功したと発表した。その代わり１２８層ＮＡＮＤを基盤としたＳＳＤの量産はサムスン電子が世界で初めて。

サムスン電子の１２８層成功が意味深い理由は１００層以上のセルを貫通する「チャンネルホールエッチング技術」を適用したためだ。ＳＫハイニックスや東芝メモリなどのライバル企業は１００層以上を貫通する技術を確保できず、６４層ずつ２度に分けて通している。９０層以上の製品の最上層から最下層まで垂直に一度に貫通する工程技術を保有する企業はサムスン電子が唯一だ。工程数が異なる企業に比べて少ないだけに製品マージンはさらに高まる。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーはセルを高く積むほど容量が大きくなるが、この時に速度を維持・改善することも重要だ。会社側は超高速設計技術を適用し、ＴＬＣ　Ｖ－ＮＡＮＤ歴代最高速度を達成したと説明した。第５世代（９２層）Ｖ－ＮＡＮＤより工程数とチップの大きさを減らして生産性も２０％以上高めた。