韓国を猛追撃の中国半導体、2020年に追い越す可能性も
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2013.07.26 16:58
1983年、当時の李秉チョル(イ・ビョンチョル)サムスン会長は「半導体産業をわれわれ民族特有の強靭な精神力と創造性を基に推進しようと思う」とする“東京宣言”を出した。初期には日本企業の牽制とサムスンの技術力不足で苦戦したが、94年に世界で初めて256メガビットのDRAMを開発して以来、これまでメモリ半導体業界の第1人者の座を守っている。東京宣言の後、トップクラス入りする時まで、実に10年余りかかったことになる。
99年、中国の華虹グループは日本NECと合作して中国で初めて上海に8インチ(200mm)ウェハーを使うDRAM生産ラインを稼動した。中国政府が90年代に始めた“国家重点半導体プロジェクト”の一環だった。最近の半導体業界では、中国企業が本格的に半導体事業に飛び込む契機となったこのプロジェクトを“北京宣言”と呼んでいる。中国企業の成長の勢いが半導体事業初期のサムスン電子と肩を並べるほどにすさまじいからだ。