三星（サムスン）電子は世界で初めて回路線幅４０ナノメートル（ナノメートルは１０億分の１メートル）プロセスで次世代メモリーの２ギガビット（Ｇｂ）ＤＤＲ３ＤＲＡＭを開発し、今月末から量産すると２１日に明らかにした。昨年９月に世界初の量産を開始した５０ナノ級製品より生産性が６０％程度高まる。回路線幅が５０ナノメートルから４０ナノメートルになると、３００ミリウエハーからより多くのＤＲＡＭを作ることができ、生産性と価格競争力が高まることを意味する。

開発から量産まで１年６カ月がかかっていた準備期間も大幅に縮小した。同社は１月に４０ナノ級ＤＲＡＭを開発してから６カ月で量産体制に入った。６０ナノレベルにとどまっている米マイクロン・テクノロジーなど競合メーカーとの技術格差をより広げたことになる。国内ではハイニックス半導体が４０ナノ級のＤＲＡＭ技術を持っている。ハイニックスは第３四半期中に１ＧｂＤＤＲ３を、第４四半期に２ＧｂＤＤＲ３を量産する計画だ。

三星電子の４０ナノ級２ＧｂＤＤＲ３ＤＲＡＭは１．３５ボルトの作動電圧でも従来の１．５ボルト製品より２０％ほど早い１．６Ｇｂｐｓ（１秒当たり１６００メガビット）のデータ処理速度を実現する。電力消費が少なく環境にもやさしい。


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