三星（サムスン）電子が世界で初めて４ギガビット（Ｇｂ）容量のＤＲＡＭ半導体開発に成功した。同社は２００７年に６０ナノプロセスを使った２ＧｂＤＤＲ２ＤＲＡＭを初めて出し、昨年９月に５０ナノプロセスの２ＧｂＤＤＲ３ＤＲＡＭを世界で初めて開発した。５カ月ぶりに容量が２倍の新製品を開発したことになる。データ処理速度は１．６Ｇｂｐｓ（１秒当たり英文字１６億字を読み書きできる速度）で既存の製品より２０％程度速くなった。動作電圧は従来の１．５ボルトから１．３５ボルトと低くなり、電力消費が少なく発熱も少ない。

このチップ１６個をまとめると８ギガバイト（ＧＢ）容量のパソコン用ＤＲＡＭモジュールを作れる。ＭＰ３音楽ファイル２０００曲か、ＤＶＤクラスの映画２編分を保存できる容量だ。チップを重ねる技術を使えば３２ＧＢモジュールの製造も可能だ。新型チップで大容量ＤＲＡＭモジュールを作れば、電力消費を大幅に減らすことができる。チップ自体の電力消費も減少する上、大容量モジュールを作るのに必要なチップの個数自体が減るためだ。

例えば１Ｇｂチップをまとめてサーバー用１６ＧＢモジュールを作るならエラー訂正用チップを含め合わせて１４４個が必要だが、４Ｇｂチップを使うと３６個で足りる。１Ｇｂチップの代わりに４Ｇｂチップを使えば同じ容量のモジュールの電力消費が７０％近く減るという説明だ。

金昌鉉（キム・チャンヒョン）専務は、「インターネットポータルや通信業者が運用する大規模データセンターの場合、低電力メモリーを搭載すれば電気料金の節約効果だけでなく、熱放出装備や電力設備の設置・維持・補修費用も減らすことができる」と述べた。さまざまな面で環境にもやさしいという説明だ。

半導体市場調査機関のＩＤＣはＤＤＲ３ＤＲＡＭのうち２Ｇｂ以上の高容量製品の割合が今年の３％から２０１１年には３３％に増えるものとみている。

◆ＤＲＡＭ＝高速で作動するメモリー半導体で、電機供給が途絶えると保存したデータが消える。パソコンやサーバーの臨時保存用メモリーとして多く使われる。フラッシュメモリーとともにメモリー半導体の主力製品。フラッシュメモリーは読み書きの速度は遅いが、データが消えないためデジタルカメラや携帯電話のデータ保存用途に多く使われる。