주요 기사 바로가기

三星電子、50ナノ2ギガDRAMを初の量産へ

2008.09.30 08:38
0
三星(サムスン)電子が競合メーカーに6カ月~1年先駆け、小さくて速いDRAMの量産に入った。これはメモリー市場がDDR2からDDR3に移行する過程で主導権を握ったことになるという評価を受けている。

三星電子は29日、来月から50ナノメートルプロセスで2ギガビット(Gb)DDR3DRAMの量産に入ると明らかにした。60ナノメートルプロセスによる2GbDDR2の量産を開始してから1年ぶりとなる。

新製品はデータ伝送速度が1秒当たり1.3Gb(1300メガビット=Mb)に達し、既存の製品(800Mb)より50%以上速い。50ナノメートル級の微細プロセスを使い、生産効率も60%以上向上された。より薄い回路で製品を作るため、チップの大きさも小さくなり、それだけ同じ大きさのウエハーで作れるチップの数が増えたことになる。

三星電子はサーバー用8ギガバイト(GB)モジュールと、高性能パソコン・ノートパソコン用4GBモジュールを作るのに新型チップを優先供給する予定だ。チップの大きさが縮小しただけに、低価格で大容量モジュールを作れるためだ。

以前は2Gbチップ32個をまとめ8GBモジュール1つを作るにはチップを2層に積んだ複雑な工程を経なければならなかったが、新型チップは積層せずに作ることができる。電力消費も40%以上抑えており、それだけ発熱量も減少した。市場調査会社のIDCは市場でのDDR3DRAMの割合が来年の29%から2011年には75%まで成長するとの見通しを示している。

関連記事

最新記事

    もっと見る 0 / 0
    TOP