三星(サムスン)電子が競合メーカーに6カ月~1年先駆け、小さくて速いDRAMの量産に入った。これはメモリー市場がDDR2からDDR3に移行する過程で主導権を握ったことになるという評価を受けている。
三星電子は29日、来月から50ナノメートルプロセスで2ギガビット(Gb)DDR3DRAMの量産に入ると明らかにした。60ナノメートルプロセスによる2GbDDR2の量産を開始してから1年ぶりとなる。
新製品はデータ伝送速度が1秒当たり1.3Gb(1300メガビット=Mb)に達し、既存の製品(800Mb)より50%以上速い。50ナノメートル級の微細プロセスを使い、生産効率も60%以上向上された。より薄い回路で製品を作るため、チップの大きさも小さくなり、それだけ同じ大きさのウエハーで作れるチップの数が増えたことになる。