信じていたHBMまで…韓国半導体の核心動力も中国が追い上げる
ⓒ 中央日報/中央日報日本語版2026.09.14 07:05
韓国半導体の核心動力である広帯域メモリー(HBM)でも中国との技術格差が大きく縮まった。中国はDRAM市場で稼いだ莫大な収益を基にHBM追撃の速度をさらに引き上げるものと予想される。
韓国半導体産業協会によると、韓中のメモリー半導体技術格差はHBMが3年、DRAMが2年、NAND型フラッシュが1年に縮まった。数年前には5年以上と評価されていた格差が、メモリー工程上事実上「1世代」以下に減ったという意味だ。