世界5位のDRAMメーカー、南亜科技が3次元（3D）メモリー半導体パッケージング工場を作る。人工知能（AI）メモリー競争の重心が複数のチップを精巧に積み上げて連結する「先端パッケージング」に拡大し、後発走者も「積層戦争」に飛び込む様相だ。

関連業界によると、台湾国家科学技術委員会（NSTC）は1日、南亜科技が台湾南部屏東科学団地に3Dパッケージング・テスト工場を作る案を承認した。DRAMを作るファブ（工場）ではなく、すでに作ったDRAMを積層して連結する先端パッケージング工場だ。

南亜科技は広帯域メモリー（HBM）を追いかける代わりに、AIメモリーの核心である「積層技術」を確保する道を選んだ。市場調査会社トレンドフォースによると、南亜科技はAI推論用オーダーメード型DRAM「ウルトラワイドIO（UWIO）」を開発している。名前の通りメモリーと演算チップの間でデータが行き来する入出力（I/O）通路を大きく広げたDRAMで、顧客企業のAIチップに合わせて設計するのが特徴だ。新工場には次世代メモリー実現に必要なシリコン貫通電極（TSV）とウエハー積層技術が入る。TSVは複数の層に積んだチップに微細な穴をあけて上下をつなぐ一種の「エレベーター電気通路」だ。ウエハー積層は複数のチップが付いたウエハーをまるごと重ねて付ける技術だ。

中国1位のDRAMメーカー長鑫存儲技術（CXMT）も積層競争に飛び込んだが苦戦中だ。CXMTが開発中の8層HBM3の生産歩留まりは25～30％水準にとどまっている。市場調査会社テックインサイツは「オーダーメード型HBM設計と先端パッケージングをめぐる競争がメモリー市場の地図を変えている」と分析した。