2019年3月、SKハイニックスの半導体協力会社であるムジン電子の社員1人が靴下の中にUSBメモリーを隠してSKハイニックス事業所に入った。稼動中の洗浄装置の入力画面から量産レシピプラン（工程設計図）をキャプチャーしてUSBメモリーに保存した彼は、密かに持ち出した別の資料まで合わせ合計15件の洗浄工程核心製造設計図を集めた。

こうして持ち出したSKハイニックスの国家核心技術資料は中国1位のメモリー半導体メーカーである長鑫存儲技術（CXMT）の社員に電子メールで転送された。その後ムジン電子はSKハイニックスが技術流出を懸念して輸出に同意しなかったのに、両社が共同開発した洗浄装置7台、約377億ウォン相当をCXMTに輸出した。だがこの社員に下された刑は懲役8月に執行猶予2年だった。

犯行は続いた。ムジン電子副社長で半導体装置事業部総責任者だったシン氏は2017年5月、CXMTへの洗浄装置輸出を契機に中国側と連絡し、韓国の業界から核心人材を引き抜いて技術情報を不正に取得し装置開発に活用するなど犯行を主導した。これに対して大法院（最高裁）が確定したシン氏の処罰は懲役1年6月にとどまった。

◇半導体判決文全数分析…平均刑量2年7月

中央日報はこの20年間に不正競争防止法と産業技術保護法違反容疑で裁判にかけられた半導体技術流出事件の判決文を全数分析した。24件の事件の被告人90人のうち実刑が44人、執行猶予も44人、罰金刑と無罪がそれぞれ1人だった。

実刑者の平均刑量は約2年7月だった。実刑を受けた44人のうち40．9％の18人が懲役1年以上2年以下を宣告された。2年以上3年以下は10人、3年以上5年以下は8人、1年以下は5人だった。5年を超えたのは6．8％の3人だけだった。最高刑はサムスン電子の18ナノDRAM技術をCXMTに流出させ使用した容疑で起訴されたチョン氏に下された懲役7年だった。

持ち出した韓国の技術の終着地は主に中国だった。24件の事件のうち75％の18件が中国と関連しており、被告人90人のうち91．1％の82人が中国と関連していた。中国企業が韓国の核心エンジニアを引き抜き、彼らが元の職場の技術と同僚を呼び込んでコピー品装置開発と現地生産ライン構築につながる構造が複数の事件で繰り返された。

特に技術流出事件24件のうち19件が、中国が「半導体崛起」を本格化した2010年代後半以降に起きた。DRAM、NAND型フラッシュ、広帯域メモリー（HBM）のようなメモリーに加え、洗浄、超純水、真空ポンプ、パッケージングなど半導体生態系全般が標的になった。技術流出事件を主に扱うパク・ヒョンチョル弁護士は、「先端技術流出の中心軸が過去のバッテリーやディスプレーから、中国が最も切実に望む半導体装置分野に急速に移動している。核心人材の離職を超え設計図面がともに流出したり装置独自がまるごとコピーされるなど手法も大胆になり精巧になっている」と話した。

人を動かしたのはやはりお金だった。ある半導体CMP（化学的・機械的研磨）工程技術流出事件連座者には約3億8000万ウォンの年俸に株式10％、社長のポストが提示された。別の人物には手取り2億5000万ウォン以上に株式5％、副社長級のポストが条件についた。また別のエンジニアは契約年俸が約7057万ウォンから中国転職初年度に約3億2000万ウォンと4．5倍に上がった。

靴下に隠して盗んだ韓国の半導体技術、終着地の75％が中国（2）