サムスン電子が世界唯一の極端紫外線（EUV）露光装置メーカーであるオランダASMLと次世代半導体製造技術分野の協力を拡大する。2028年には次世代装備である「High－NA EUV」を業界で初めてDRAM量産に適用するのが目標だ。

サムスン電子は8日、High－NA EUVを実際の量産に活用するための工程技術を開発して、ASMLが推進する12インチフォトマスク生態系構築にも参加すると明らかにした。装備導入だけでなくフォトマスク規格と関連供給網までともに準備するという構想だ。

High－NA EUVは既存のEUVより微細な回路を描くことができる次世代装備だ。光を集める能力を示す開口数（NA）をこれまでの0．33から0．55に高め回路をより精密に刻む。

ASMLによるとHigh－NA EUVは一度の露光で描くことができる最小線幅を既存の13ナノメートル（ナノは10億分の1）水準から8ナノメートル水準に下げられる。回路を何度も分けて刻む工程も減らすことができ、工程時間とコストを下げるのに役立つ。

ただ既存のEUVより一度に回路を刻める面積は半分水準に減る。現在使われている6インチフォトマスクで面積が大きい半導体回路を作るには複数の部分に分けて刻んだ後に再び連結しなければならない。連結過程で誤差が生じると生産期間とコストが増える。

フォトマスクを12インチに拡大すると一度により広く複雑な回路を刻むことができる。回路を分けて連結する工程を減らして生産性と歩留まりを高めることができるという意味だ。1．4ナノメートル以下の超微細ファウンドリー（委託生産）工程と大型人工知能（AI）半導体製造にも活用できる。

フォトマスク規格を変えるにはマスク原材料と製造・検査装備を供給する素材・部品・装備企業も生産体系をともに変えなければならない。サムスン電子がASMLが主導する関連生態系構築に参加する理由だ。

サムスン電子は昨年3月に韓国で初めてHigh－NA EUV装備を導入した。2028年には実際のDRAM量産製品を活用して工程条件と歩留まり、生産性を検証する計画だ。2020年にはメモリー業界で初めてDRAM量産にEUV工程を適用している。