中国最大のDRAMメーカー、CXMT（長鑫存儲技術）が第5世代広帯域メモリー（HBM3E）の少量生産に入った。汎用DRAM市場で存在感を高めたのに続き、サムスン電子とSKハイニックスが主導するHBM市場まで追撃範囲を広げている。

8月31日（現地時間）、米情報技術（IT）メディア「ジ・インフォメーション（The Information）」は複数の消息筋を引用し、CXMTが人工知能（AI）アクセラレーターなどに使われるHBM3Eを生産しており、来年から生産量を拡大する計画だと伝えた。

供給先は中国企業だ。アリババ（Alibaba）の半導体設計（ファブレス）子会社T－Head（ティーヘッド／平頭哥）や中国AI半導体企業カンブリコンなどが、自社のAIアクセラレーターにCXMTのHBM3Eを搭載するためのテストを進めているという。最終検証を通過すれば、早ければ2027年から実際の製品に搭載される見通しだ。

HBMは複数のDRAMを垂直に積み重ね、データ処理速度を高めたメモリー半導体で、AIアクセラレーターの中核部品だ。

HBM3Eはエヌビディア（NVIDIA）のH200やブラックウェル（Blackwell）シリーズなど、現在広く使われているAIアクセラレーターに搭載される製品だ。サムスン電子・SKハイニックス・マイクロン（Micron）などメモリー業界「ビッグ3」は、これより一段階先の第6世代HBM4を量産している。CXMTはまだ1世代遅れているが、汎用DRAMを超えてモバイル用LPDDR6（次世代低電力モバイルDRAM）やHBM3Eまで製品群を広げている。

CXMTがこのように先端メモリー開発を加速する背景には、中国国内の需要がある。米国の半導体輸出規制により先端HBMの調達が難しくなる中、中国のAI半導体企業は国産部品の確保を増やしている。性能などが先頭企業に及ばなくても、中国製HBMを採用する需要基盤があるという意味だ。

ただ、実際の量産能力では先頭企業との差が大きい。半導体分析会社セミアナリシス（SemiAnalysis）は6月、CXMTの前世代HBM3の8層製品の前工程歩留まりを約35％、後工程歩留まりを約70％と推定した。これを合わせた総合歩留まりは約25％だ。積層の難易度がさらに高いHBM3の12層やHBM3Eの12層などは、これより歩留まりがさらに低いと分析した。

CXMTはメモリー好況に乗って急速に規模を拡大している。今年上半期の売上高は1503億元（約3兆5760億円）で前年同期比874％増加し、純利益は776億元で黒字転換した。7月には上海科創板（上海証券取引所のハイテク企業向け新市場）に上場し、約12兆ウォン（約1兆4000億円）を調達した。CXMTは今月発売されるシャオミの新型折りたたみスマートフォン「Xiaomi 18 Fold」にLPDDR6を供給する予定だ。