人工知能（AI）時代、データが演算速度に追いつかない「メモリーの限界」をだれが先に超えるだろうか。サムスン電子とSKハイニックスがAIメモリー半導体の主導権を握るためにそれぞれ異なる勝負に出た。

サムスン電子は4日、米国で開かれた世界最大のメモリー・保存装置行事「フューチャーオブメモリーストレージ（FMS）2026」で、次世代3次元広帯域メモリー（HBM）の「zHBM」の実物モデルを公開した。既存のHBMはAIアクセラレータのそばに配置される平面（2D）構造だったがzHBMはアクセラレータの上にHBMを垂直に積み上げる3次元構造だ。既存のHBMではデータが別々のマンションを行き来するとすれば、zHBMは同じマンション内のフロア間を行き来する形にデータルートを根本的に変えた形だ。

このようにデータ移動距離を減らし第8世代HBM5と比べグラフィック処理装置（GPU）当たり性能は最大8倍、電力比性能は最大3倍引き上げられるというのがサムスン電子の説明だ。サムスン電子DRAM開発室のキム・ギョンリュン常務は「サムスンが帰ってきた」と自信を示した。

3次元NAND型フラッシュである「zNAND－O」もともに公開した。最新V-NANDを4段または8段で垂直に積み上げた製品だ。スマートフォンやノートパソコンなど機器自体でAIを駆動する「オンデバイスAI」に最適化したという意味で製品名の終わりに「－O」を付けた。

SKハイニックスは世界的ストレージ企業サンディスクとともに次世代AI用メモリーである広帯域フラッシュ（HBF）の初の標準規格を公開した。HBFはHBMと保存装置（SSD）の間に新たに作ったメモリー階層で、DRAM基盤であるHBMと違いNAND型フラッシュを活用してより多くのデータを記録できるようにした技術だ。1つのメモリーだけでは急増するデータ処理要求に耐えられないため、重要度と使用頻度により分けて保存し効率を上げる「階層型メモリー」を解決策として提示したのだ。2月に発足したHBFコンソーシアムには、グーグル、テンストレントなど世界的ビッグテックも合流した。

今回の発表が行われたFMSは、当初保存装置中心の「フラッシュメモリサミット」だったが、AI産業が成長し2024年からDRAMとHBMなどメモリー全般を扱う行事に領域を広げた。フランスの市場調査会社ヨルグループのアナリスト、ジョセフィン・ラウ氏はこの日、「韓国が2031年まで世界的メモリー半導体最強国の地位を維持するだろう」との予想を示した。