サムスン電子が下半期中に米テキサス州テイラーに2件目のファウンドリー（半導体受託生産）工場を着工する。広帯域メモリー（HBM）の供給拡大にも拍車をかける。次世代製品の第6世代（HBM4）を中心に顧客を確保し、HBM市場のシェアを大幅に引き上げるという目標も提示した。

30日、サムスン電子が発表した4－6月期の売上高（連結基準）は171兆5000億ウォン（約19兆円2760億円）、営業利益は89兆5000億ウォンで、四半期基準で過去最高だった。前年同期比で130％増、1804％増となった。

半導体事業を担当するデバイスソリューション（DS）部門は営業利益率が70％に達する圧倒的な収益性で好業績を牽引した。全体売上高の74％、営業利益の99％がDS部門だった。サムスン電子によると、DRAMとNAND型フラッシュメモリーの平均販売価格（ASP）は前四半期比で40％、60％以上も上昇した。

需要が供給を大きく上回る状況が長期化する中、ビッグテック（大手IT企業）は通常5年間の長期供給契約（LTA）を通じて数年分の半導体物量を先取りしている。サムスン電子は全生産量の60～70％を長期契約で供給する計画だ。サムスン電子メモリー事業部のキム・ジェジュン副社長は同日のカンファレンスコールで「グローバル人工知能（AI）データセンターを運営する主要5大企業とメモリー供給契約を結び、、他の大手顧客とも（長期）交渉を締めくくる段階」と明らかにした。

下半期もメモリーの「スーパーサイクル」が続くと予想される中、サムスン電子はHBMを中心とした事業拡大を予告した。キム副社長は「下半期にDRAM全体のシェア（38％）と同等水準のHBMシェアを確保し、バランスの取れた事業ポートフォリオを完成させたい」とし「7－9月期のHBM4の売上高は今四半期と比べて3倍以上増加し、下半期にはHBM全体の売上高の60％以上を占めるだろう」という見方を示した。

グローバル生産拠点の拡大計画も打ち出した。ファウンドリー事業部の姜錫采（カン・ソクチェ）副社長は「米国のテイラー第1工場は予定通り今年稼働する予定であり、2ナノメートル（nm・1ナノメートルは10億分の1メートル）プロセスの生産能力を段階的に増やしていく」と説明した。続いて「拡大する顧客需要に対応するため、2030年の量産を目標に、今年末にテイラー第2工場を着工することを決めた」とし「最先端の1．4ナノ工程に対する顧客からの問い合わせが増えていて、追加の工場確保策も検討中」と話した。

ファウンドリー事業は、AI半導体の需要拡大で「収益に青信号」がついたとの説明だ。カン副社長は「近い将来、黒字転換が可能になるだろう」と述べた。

しかし半導体価格の上昇による「チップフレーション」が完成品事業には負担として作用している。メモリーなど部品価格の急騰で収益性が悪化し、デバイスエクスペリエンス（DX）部門は4－6月期に初めて赤字に転落した。今年6月、購入額の20％を「オンヌリ商品券」で還元するマーケティングイベントを開催し、韓国国内だけで3兆ウォン規模の家電消費があったが、収益の改善にはつながらなかった。サムスンディスプレイと電装部品子会社ハーマンはそれぞれ7000億ウォン、4000億ウォンの営業利益を出した。

サムスン電子は同日、米国預託証券（ADR）の上場の可能性については一線を画した。パク・スンチョル最高財務責任者（CFO・副社長）は「自社での現金創出力が十分であるため、現在のところ新規の資金調達を目的としたADR発行は検討していない」と述べた。その一方で「中長期的な株主価値向上の観点から多様な手段の一つとして（ADR発行は）検討可能な事案」と話した。

DS投資証券のイ・スリム研究員は「ファウンドリーも本格的な業績改善が期待される。成果給引当金の反映を除けば2027年の年間黒字転換が可能」と述べた。この日、サムスン電子の株価は前営業日より0．72％下落した20万7000ウォンで取引を終えた。