ＮＡＮＤフラッシュメモリとマンションの共通点は？　超高層戦争が激しいということだ。

２０１３年にサムスン電子が世界で初めて２４層ＮＡＮＤを発売し積層競争に火を付けた。ナノプロセスの限界を克服し、同じ面積により多くのデータ保存空間を確保するために積層技術で競争したのだ。現在サムスン電子が量産する最高層ＮＡＮＤは２８６層だ。

だが最近中国の長江存儲科技（ＹＭＴＣ）が２７０層水準のＮＡＮＤ新製品を出したという事実が伝わり、半導体業界がざわめいている。「中国の追撃があごの下まできた」という懸念だ。

世界的半導体分析企業のテックインサイツは１０日、中国ＹＭＴＣと長鑫存儲技術（ＣＸＭＴ）がサムスン電子・ＳＫハイニックスと類似水準のＮＡＮＤ積層技術を確保したと評価した。テックインサイツが製品分解などを通じた技術分析技法のリバースエンジニアリングで中国企業の最新メモリー半導体を分析した結果だ。

ＹＭＴＣの子会社致鈦は１テラビット（Ｔｂ）トリプルレベルセル（ＴＬＣ）第５世代３次元ＮＡＮＤを適用した消費者向けソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）を生産した。２７０層で現在の最高層量産製品であるＳＫハイニックスの３２１層よりは低いが、半導体２個をつなげたハイブリッドボンディング方式をＮＡＮＤに適用した。メモリー上位３社が試みない方式だ。テックインサイツは「ＹＭＴＣはハイブリッドボンディングで米国の輸出制裁を克服する方法を体得したもの」と分析した。ＮＡＮＤ製造にはエッチング装備などが重要だが、現在米ラムリサーチなどが生産した装備を購入するのが難しいＹＭＴＣが迂回ルートを見つけたという評価だ。

ＣＸＭＴは１６ナノメートル（ナノは１０億分の１）プロセスを活用したＤＤＲ５　１６ＧｂＤＲＡＭを量産したことがわかった。サムスン電子とＳＫハイニックスは現在主に１２・１４ナノメートルＤＤＲ５市場を主導しているが、テックインサイツは「ＣＸＭＴの１６ナノメートルＤＤＲ５新製品の性能がＳＫハイニックスの１２ナノメートル製品より良い」と評価した。

専門家らはこうした中国の追撃に対し、▽経済性を考慮しない無差別的な挑戦▽技術時差に一気に追いつく追撃速度▽制裁の隙間を見つけ出す創意性――を３大核心競争力に挙げた。次世代知能型半導体事業団長を務めるソウル大学のキム・ヒョンジュン名誉教授は、「広帯域メモリー（ＨＢＭ）４に使われるハイブリッドボンディング技術をＮＡＮＤに適用すれば経済性が大きく落ちるはずだが、中国企業はどれだけ費用がかかろうがひとまず作って追撃する」と話した。ガートナーによると、昨年世界の半導体企業のうち売り上げ増加率１位はＹＭＴＣの１４５．２％だった。また、ＹＭＴＣは１２８層から２７０層ＮＡＮＤに跳躍した期間が３年５カ月で、サムスン電子が１２８層から２８６層を量産するのにかかった期間の４年７カ月より短いほど速度戦を行っている。

ソウル大学のファン・チョルソン客員教授はＣＸＭＴのＤＲＡＭ性能に対し「中国の１６ナノメートルの性能が韓国の１２ナノメートルより良いという評価を受けたのは、ハイブリッドボンディングのように全く考えられなかった方式を使ったので可能だったこと。嘘か嘘みたいな驚くこと」と評価した。

最近メモリー市場は中国の低価格攻勢でチキンゲームに近い。先月のＤＲＡＭ価格（ＤＤＲ４　８Ｇｂ基準）は１．３５ドルで２年前より６０％下落し、同じ期間に汎用ＮＡＮＤ価格も４７％下落した。ＳＫハイニックスは１０－１２月期の業績カンファレンスコールで「（中国製品とは）品質と性能に確実な差がある。技術格差を維持するだろう」と明らかにした。サムスン電子もやはりカンファレンスコールで「ハイエンド市場に注力するだろう」と話した。